IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor with 3 Ohms Drain-Source Resistance

Name: IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor with 3 Ohms Drain-Source Resistance
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IPD50R3K0CE
Availability: InStock

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IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor with 3 Ohms Drain-Source Resistance

大画像 : IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor with 3 Ohms Drain-Source Resistance

商品の詳細:

起源の場所:	CN
ブランド名:	Original Factory
証明:	Lead free / RoHS Compliant
モデル番号:	IPD50R3K0CE

お支払配送条件:

最小注文数量:	10
価格:	Contact for Sample
パッケージの詳細:	TO-252-3
受渡し時間:	3～5営業日
支払条件:	T/T
供給の能力:	1日あたり10000個

連絡先

IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor with 3 Ohms Drain-Source Resistance

記述

部品番号:	IPD50R3K0CE	トランジスタ極性::	nチャネル
Vds - ドレイン-ソースブレークダウン電圧::	500 V	Id - 連続ドレイン電流::	2.6 A
Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗::	3オーム	Vgs - ゲート-ソース間電圧::	- 20ボルト、20ボルト
ハイライト:	500V Drain-Source Breakdown Voltage Integrated Circuit Chip , 1.7A Continuous Drain Current Power MOSFET Transistor , 3 Ohms Drain-Source Resistance CoolMOS™ N-Channel

IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistors

IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistors

Product Description

IPD50R3K0CE 500V CoolMOS™ CE is a price-performance optimized platform designed for cost-sensitive applications in consumer and lighting markets while maintaining high efficiency standards. This series provides all the benefits of fast-switching superjunction MOSFET technology while ensuring ease of use and offering the best cost-to-performance ratio available on the market.

Technical Specifications

Parameter	Value
FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3Ω @ 400mA, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	84 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max)	26W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)

Key Features

Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss
Very high commutation ruggedness
Easy to use and drive
Pb-free plating, Halogen free mold compound
Qualified for standard grade applications

Applications

PFC stages
Hard switching PWM stages
Resonant switching stages
PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV
Indoor lighting systems

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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部品番号: NCP51200MNTXG

出力数: 1

電圧 - 出力: 0.5V～1.8V

電圧 - 入力: 2.375V～3.5V

Part Number	Package
ISO7763FQDWQ1	16-SOIC
ISO7821FDWWR	16-SOIC
ISO7810FDWWR	16-SOIC
ISO7142CCQDBQQ1	16-SSOP
ISO7331FCQDWQ1	16-SOIC
ISO7340FCQDWQ1	16-SOIC
ISO7721FQDWRQ1	16-SOIC
ISO7820DWWR	16-SOIC
ISO7841DWWR	16-SOIC
ISO7321FCQDQ1	8-SOIC
ISO6721RFBQDRQ1	8-SOIC
OPA814DR	8-SOIC
INA310B4QDGKRQ1	8-TSSOP
INA310A2QDGKRQ1	8-TSSOP
INA310A1QDGKRQ1	8-TSSOP
INA310A5QDGKRQ1	8-TSSOP
INA310B2QDGKRQ1	8-TSSOP
INA310A3QDGKRQ1	8-TSSOP
INA296A2QDDFRQ1	SOT-23-8
INA241A2IDDFR	SOT-23-8
INA186A1QDDFRQ1	SOT-23-8
INA190A2QDDFRQ1	SOT-23-8
INA296A2IDDFR	SOT-23-8
INA241B3IDDFR	SOT-23-8
INA241A5IDDFR	SOT-23-8
INA190A4IDCKR	6-TSSOP
INA293A4QDBVRQ1	SOT-23-5
INA281B2QDBVRQ1	SOT-23-5
INA281A5QDBVRQ1	SOT-23-5
INA293B2QDBVRQ1	SOT-23-5

IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor with 3 Ohms Drain-Source Resistance

IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor with 3 Ohms Drain-Source Resistance

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500V Drain-Source Breakdown Voltage Integrated Circuit Chip

1.7A Continuous Drain Current Power MOSFET Transistor

3 Ohms Drain-Source Resistance CoolMOS™ N-Channel

集積回路の破片24-PQFN,

TUSB1002ARGERのデュアル・チャネル線形,