|
商品の詳細:
|
| Part Number: | IPT007N06N | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:: | 60 V |
|---|---|---|---|
| Id - Continuous Drain Current:: | 300 A | Rds On - Drain-Source Resistance:: | 750 uOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage:: | - 20 V, 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:: | 2.1 V |
| ハイライト: | 60Vのドレイン・ソース間電圧集積回路チップ,300A 連続ドレイン電流パワー MOSFET トランジスタ,750 μオームのドレイン・ソース抵抗 OptiMOS™ N チャネル |
||
IPT007N06Nは,フォークリフト,軽電気自動車 (LEV) を含む高電流アプリケーションに最適化されたTO-Leadlessパッケージを搭載した60V OptiMOSTM NチャネルパワーMOSFETトランジスタです.負荷点 (POL) システムこのパッケージは,卓越した効率,優れたEMI性能,優れた熱特性,および高電力アプリケーションのためのスペース節約設計を提供します.
| パラメータ | 価値 |
|---|---|
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 60V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 300A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 6V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 0.75mOhm @ 150A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 3.3V @ 280μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 287 nC @ 10 V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 16000 pF @ 30 V |
| 電力消耗 (最大) | 375W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C~175°C (TJ) |
| 部分番号 | パッケージ |
|---|---|
| PIC18F27Q83-E/SO | 28SOIC |
| PIC18F47Q83-I/PT | 44-TQFP |
| PIC18F27Q83-I/SO | 28SOIC |
| PIC18F27Q83-I/5N | 28VQFN |
| PIC18F47Q83-E/PT | 44-TQFP |
| PIC18F27Q83-I/SS | 28 SSOP |
| PIC18F27Q83-E/5N | 28VQFN |
| PIC18F57Q83-I/PT | 48-TQFP |
| PIC18F47Q83-I/NHX | 40VQFN |
| R7F101GLG2DFB | LFQFP-64 |
| R7F101GJG3CFA | LQFP-52 |
| R7F101GEE2DNP | HWQFN-40 |
| R7F101GAE3CSP | LSSOP-30 |
| R7F101GEE3CNP | HWQFN-40 |
| LCMXO3L-9400C-6BG256C | 256-CABGA |
| LP8865WQDMTRQ1 | 14-VSON |
| DAC43902RTERQ1 | 16WQFN |
| LM74930QRGERQ1 | 24VQFN |
| UCC21550BQDWRQ1 | 16-SOIC |
| TPS62876B1QWRZVRQ1 | 24WQFN |
| TPS62876QWRZVRQ1 | 24WQFN |
| LM74900QRGERQ1 | 24VQFN |
| F280036PMRQ1 | 64LQFP |
| TLC69658QPWPRQ1 | 28HTSSOP |
| TLC69662QPWPRQ1 | 28HTSSOP |
| TLC69668QPWPRQ1 | 28HTSSOP |
| DRV8316CRQRGFRQ1 | 40VQFN |
| TPS65033104RGERQ1 | 24VQFN |
| AMC1306M25QDWVRQ1 | 8-SOIC |
コンタクトパーソン: Sales Manager
電話番号: 86-13410018555
ファックス: 86-0755-83957753
Japanese
