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MT29F1G08ABAEAH4:E VFBGA-63 パッケージの非同期I/O付き1Gbit並行NANDフラッシュメモリICチップ

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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MT29F1G08ABAEAH4:E VFBGA-63 パッケージの非同期I/O付き1Gbit並行NANDフラッシュメモリICチップ

MT29F1G08ABAEAH4:E VFBGA-63 パッケージの非同期I/O付き1Gbit並行NANDフラッシュメモリICチップ
MT29F1G08ABAEAH4:E VFBGA-63 パッケージの非同期I/O付き1Gbit並行NANDフラッシュメモリICチップ

大画像 :  MT29F1G08ABAEAH4:E VFBGA-63 パッケージの非同期I/O付き1Gbit並行NANDフラッシュメモリICチップ

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: MT2F1G08ABAEAH4:E
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: VFBGA-63
受渡し時間: 5~8営業日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタンユニオン

MT29F1G08ABAEAH4:E VFBGA-63 パッケージの非同期I/O付き1Gbit並行NANDフラッシュメモリICチップ

記述
部品番号: MT2F1G08ABAEAH4:E メモリサイズ:: 1 Gbit
組織:: 128のM X 8 データバス幅:: 8ビット
アクティブ・リーディング・電流 - 最大:: 35 mA タイミングタイプ:: アシンクロン
ハイライト:

1GbitメモリICチップ

,

VFBGA-63 パッケージ NAND フラッシュ メモリ

,

非同期 I/O パラレル NAND フラッシュ

MT29F1G08ABAEAH4:E メモリICチップ
1Gbit パラレル NAND フラッシュメモリ VFBGA-63 パッケージ
製品概要
MT29F1G08ABAEAH4:Eは,VFBGA-63でパッケージ化された1Gbitの並行NANDフラッシュメモリデバイスである.この高性能メモリは,効率的なI/O操作のために最適化された非同期データインターフェースを備えています.コマンドの転送のために高度なマルチプレックス 8-ビットバス (I/Ox) を利用する住所情報とデータ
テクニカル仕様
仕様 詳細
メモリ形式 フラッシュ
テクノロジー FLASH - NAND
メモリサイズ 1Gbit
記憶 の 組織 128M × 8
メモリインターフェース パラレル
電圧供給 2.7V~3.6V
動作温度 0°C~70°C (TA)
主要 な 特徴
  • オープン NAND フラッシュインターフェイス (ONFI) 1.0対応
  • 単層セル技術 (SLC)
  • 先進的なメモリ組織
    • ページサイズ x8: 2112バイト (2048 + 64バイト)
    • ページサイズ x16: 1056文字 (1024 + 32文字)
    • ブロックサイズ: 64ページ (128K + 4Kバイト)
    • 飛行機の大きさ: 2つの飛行機 × 512個のブロック
    • デバイスサイズ: 1Gb: 1024ブロック
  • 高性能アシンクロン I/O 操作
  • 迅速な読み込み,プログラム,消去時間による最適化された配列性能
  • ONFI NAND フラッシュ プロトコルをサポートする包括的なコマンドセット
  • キャッシュモードとOTP機能を含む高度な運用機能
  • 運用状態の監視のためのハードウェアとソフトウェアの方法
  • 書き込み保護とデータ移動機能が組み込まれています
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