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H9HCNNN8KUML-HRNME 低消費電力 8Gb LPDDR4 同期 DRAM メモリ IC チップ BGA-200 パッケージ

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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H9HCNNN8KUML-HRNME 低消費電力 8Gb LPDDR4 同期 DRAM メモリ IC チップ BGA-200 パッケージ

H9HCNNN8KUML-HRNME 低消費電力 8Gb LPDDR4 同期 DRAM メモリ IC チップ BGA-200 パッケージ
H9HCNNN8KUML-HRNME 低消費電力 8Gb LPDDR4 同期 DRAM メモリ IC チップ BGA-200 パッケージ

大画像 :  H9HCNNN8KUML-HRNME 低消費電力 8Gb LPDDR4 同期 DRAM メモリ IC チップ BGA-200 パッケージ

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: H9HCNNN8KUMLHR-NME
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: BGA-200
受渡し時間: 5~8営業日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタンユニオン

H9HCNNN8KUML-HRNME 低消費電力 8Gb LPDDR4 同期 DRAM メモリ IC チップ BGA-200 パッケージ

記述
部品番号: H9HCNNN8KUML-HRNME パッケージ: BGA-200
メモリサイズ: 8GB メモリ構成:: 256M × 32
ハイライト:

低消費電力メモリICチップ

,

8Gb LPDDR4 同期 DRAM

,

BGA-200 メモリICチップ

H9HCNNN8KUML-HRNMEメモリIC チップ 低電源 8Gb LPDDR4 同期DRAMメモリIC
H9HCNNN8KUMLHR-NMEは,低電力8Gb LPDDR4同期DRAMメモリで,BGA-200パッケージである.
製品仕様
メモリサイズ 8Gb
記憶 の 組織 256M × 32
パッケージ BGA-200
電圧 - 供給 1.1V (VDD2,VDDCA,VDDQ)
制御信号供給電圧 1.8V (VDD1)
時計の周波数 2.133GHz
相当データ転送率 3733Mbps
動作温度 -25°C ~ 85°C
製品画像
H9HCNNN8KUML-HRNME 低消費電力 8Gb LPDDR4 同期 DRAM メモリ IC チップ BGA-200 パッケージ 0
他の利用可能製品
部分番号 パッケージ
M95P32-IXMGT/E UFDFPN-8
LM2901BYQ5T 16VFQFN
LDL40PU50RY 6WDFN
LM2902BYQ5T 16VFQFN
LM2901YQ5T 16VFQFN
VD6281TF46/1 6WLCSP
STPAYTP11IJ45D54 LGA
STPAYTP16IF40D7S LGA
STPAYTP18H110D54 LGA
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STSPIN32G0251Q 72-VFQFN
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STPAYTP11IH45D7G LGA
STPAYTP11IH45D7S LGA
STPAYTP16IH40D54 LGA
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VN9Q25D70FTR QFN
M24M02E-FDW6TP 8-TSSOP
STPAYTP16IF40D54 LGA
TN4035HA-8GY TO-263-3
STPAYTP16IF40D7G LGA
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LM2904AHYQ6T 8-WFDFN
TSC200IYST 8-MSOP
よく 聞かれる 質問
あなたの製品はオリジナルですか.
そう,すべての製品はオリジナルで,新しいオリジナルの輸入は私たちの目的です.
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私たちはISO 9001:2015認定企業で ERAIのメンバーです
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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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