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商品の詳細:
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| 部品番号: | IRF540NSTRLPBF | パッケージ・ケース: | D2PAK-3 (TO-263-3) |
|---|---|---|---|
| Vds - ドレイン・ソース間降伏電圧: | 100 V | Id - 連続ドレイン電流: | 33A |
| Rds On - ドレイン・ソース間抵抗: | 44mOhms | Qg - ゲートチャージ: | 47.3nC |
| ハイライト: | ドレイン・ソース間電圧100VパワーMOSFET,33A 連続ドレイン電流 MOSFET トランジスタ,44ミリオームのドレイン・ソース抵抗NチャネルMOSFET |
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| パラメータ | 価値 |
|---|---|
| シリーズ | HEXFET® |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 100V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1960 pF @ 25 V |
| 電力消耗 (最大) | 130W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C~175°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | D2PAK |
| パッケージ/ケース | TO-263-3,D2PAK (2リード+タブ),TO-263AB |
| 部分番号 | パッケージ |
|---|---|
| AGFB022R24C2I3V | BGA |
| AGFB022R31C2I1VAA | BGA |
| AGFB022R31C3E4X | BGA |
| AGFB022R31C3I3E | BGA |
| AGFB027R24C2E1V | BGA |
| AGFB027R24C2E2V | FBGA-2340 |
| AGFB027R31C3E3V | FBGA-3184 |
| AGFB006R16A2E3E | BGA |
| AGFB008R16A2E4X | BGA |
| AGFB008R16A2I3V | BGA |
| AGIB019R18A2E1V | BGA |
| AGID019R18A2E1V | FBGA-1805 |
| AGFB008R24C2I3V | BGA |
| AGFB008R24C3E4X | BGA |
| AGFB023R25A2I3V | BGA |
| AGFB008R24D2E2V | BGA-2340 |
| AGFD019R31C2I3E | FBGA-3184 |
| AGFD019R31C2I3V | FBGA-3184 |
| AGFD023R31C3E4X | FBGA-3184 |
| AGIB019R31B1E2V | BGA-3184 |
| AGID023R18A2E2VR0 | FBGA-1805 |
| AGFB022R31C3I3V | BGA |
| AGIB027R31B2E3V | BGA |
| AGFB019R24C2E3V | BGA-2340 |
| AGFB008R16A2E2VB | BGA-1546 |
| AGFD023R24C3E4X | BGA-2340 |
| AGID023R31B1E1VB | BGA-3184 |
| AGIB027R31A2E2VB | BGA-3184 |
| AGFB027R25A2I3V | BGA |
| AGFB008R24C3I3E | BGA |
コンタクトパーソン: Sales Manager
電話番号: 86-13410018555
ファックス: 86-0755-83957753
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