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商品の詳細:
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| 部品番号: | ISZ028N03LF2S | Vds - ドレイン・ソース間降伏電圧: | 30V |
|---|---|---|---|
| Id - 連続ドレイン電流: | 128A | Rds On - ドレイン・ソース間抵抗: | 2.8mOhms |
| Qg - ゲートチャージ: | 27 NC | Pd - 消費電力: | 83 W |
| ハイライト: | 30Vのドレイン・ソース間電圧集積回路チップ,128A 連続ドレイン電流パワー MOSFET トランジスタ,2.8ミリオームのドレイン・ソース間抵抗 StrongIRFET™ 2 |
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ISZ028N03LF2Sは30V,128AのStrongIRFETTM 2 パワーのMOSFETトランジスタで,コンパクトなPQFN 3.3 x 3.3パッケージで2.8mOhmのクラス最高のRDS ((オン) を備えています.この高度なコンポーネントは,低周波から高周波のスイッチング環境の幅広いアプリケーションに対応しています.
ISZ028N03LF2Sは,以前の技術と比較して,最大40%のRDS (オン) 改善を達成し,最大60%のFOM強化と優れた運用強度を提供します.
| シリーズ | ストロングIRFETTM 2 |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 22A (Ta),128A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 4.5V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 2.35V @ 30μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 19 nC @ 4.5 V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1780 pF @ 15 V |
| 電力消耗 (最大) | 3W (Ta),83W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C~175°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8 FL |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| 部分番号 | パッケージ |
|---|---|
| ESP-WROOM-02U-N2 | モジュール |
| DA16200MOD-AAE4WA32 | モジュール |
| IFW56810-00 | モジュール |
| ESP32-S3-MINI-1U-N8 | VFQFN-56 |
| WFM200SS22XNN3R | QFN |
| WGM160P022KGN4R | モジュール |
| FCU741RACTA | モジュール |
| BCM63177A2UFKFEBG | BGA |
| BCM4366KMMLW1G | QFN |
| MGM240PB32VNN3 | モジュール |
| M2-JODY-W377-00C | モジュール |
| ODIN-W262-05B | モジュール |
| MGM210PB22JIA2R | モジュール |
| MT7663BSN/B | モジュール |
| MT7921LEN/B | QFN |
| MC60ECB-04-BLE | LCC |
| RS9116N-DB00-CC0-B00 | LGA-173 |
| MGM13P12F512GE-V2 | モジュール |
| DA16600MOD-AAC4WA32 | モジュール |
| ESP32-WROVER-IE-N16R8 | モジュール |
| ATWINC3400-MR210CA143-T | モジュール |
| ATWINC3400-MR210UA143-T | モジュール |
| ATWINC3400-MR210CA142 について | モジュール |
| LBEE5ZZ2XS-846 | モジュール |
| LBUA0VG2BP-741 | LGA |
| LBEE5XV1XA-540 | モジュール |
| LBWA0ZZ2DS-688 | モジュール |
| LBWA1KL1FX-875 | モジュール |
| LBWA1UZ1GC-901 | モジュール |
| MGM13P02F512GE-V2R | モジュール |
コンタクトパーソン: Sales Manager
電話番号: 86-13410018555
ファックス: 86-0755-83957753
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