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商品の詳細:
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| 部品番号: | ISZ053N08NM6 | FETタイプ: | nチャネル |
|---|---|---|---|
| テクノロジー: | MOSFET (金属酸化物) | ドレイン・ソース間電圧 (Vdss): | 80V |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C: | 14.2A(Ta)、90A(Tc) | 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン): | 8V、10V |
| ハイライト: | 80Vのドレイン・ソース間電圧パワーMOSFET,N-Channel MOSFETのトランジスター,OptiMOS™ 6 テクノロジー集積回路チップ |
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ISZ053N08NM6 OptiMOSTM 6 80Vは,最新の電力MOSFET技術であり,包括的なポートフォリオを提供することで,新しい業界基準性能を設定しています.インフィニオンの先端の薄型ウエファー技術により 性能の大幅な改善が可能PQFN 3.3x3.3パッケージで >28%低RDS ((オン) と ~40%改善されたFOMを含む.
性能向上により,より簡単な熱設計と並行要件の削減が容易になり,システム効率が向上し,電力密度が増加し,システム全体のコストが削減される.インフィニオンのOptiMOSTM 6 80Vファミリーは,テレコムを含む高周波スイッチングアプリケーションに最適ですバッテリー駆動アプリケーションやバッテリー管理システム (BMS) にも利用できる.
| パラメータ | 価値 |
|---|---|
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 80V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 14.2A (Ta),90A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 8V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 3.5V @ 36μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1800 pF @ 40 V |
| 電力消耗 (最大) | 2.5W (Ta),100W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C~175°C (TJ) |
| 部分番号 | パッケージ |
|---|---|
| STO47N60M6 | 8-パワーSFN |
| SCT060HU75G3AG | HU3PAK |
| STH60N099DM9-2AG | H2PAK-2 |
| TSB182IYST | 8-MiniSO |
| TSZ151ICT | SOT-323-5 |
| TSB624IYPT | 14-TSSOP |
| TSZ151IYCT | SOT-323-5 |
| TSB514IYPT | 14-TSSOP |
| LM2902BYPT | 14-TSSOP |
| TSL6002IST | 8-MiniSO |
| TSB512IDT | 8-SOIC |
| TSB622IDT | 8-SOIC |
| TSL6202IST | 8-MiniSO |
| LM2902YQ5T | 16-QFN |
| LM2904BYDT | 8-SOIC |
| LM2903BYPT | 8-TSSOP |
| LM2904YQ6T | 8-DFN |
| LM2903WST | 8-MiniSO |
| TSB182IDT | 8-SOIC |
| TSB182IYDT | 8-SOIC |
| TSB624IDT | 14-SOIC |
| TSB624IYDT | 14-SOIC |
| FDA903S-6DT | 32VFQFPN |
| FDA803S-6DT | 32VFQFPN |
| LM2904HYPT | 8-TSSOP |
| TSV794IYPT | 14-TSSOP |
| TSV774IPT | 14-TSSOP |
| TSV794IPT | 14-TSSOP |
| TSL6001ICT | SC-70-5 |
| TSL6004IPT | 14-TSSOP |
コンタクトパーソン: Sales Manager
電話番号: 86-13410018555
ファックス: 86-0755-83957753
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