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商品の詳細:
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| 部品番号: | BSS169 | トランジスター極性: | nチャネル |
|---|---|---|---|
| Vds - ドレイン・ソース間降伏電圧: | 100V | Id - 連続ドレイン電流: | 170mA |
| Rds On - ドレイン・ソース間抵抗: | 2.9オーム | Qg - ゲートチャージ: | 2.1 NC |
| ハイライト: | BSS169 N沟道MOSFETトランジスタ,100V 耗尽型MOSFET,SOT23-3 集成电路芯片 |
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| シリーズ | SIPMOS® |
| FETタイプ | Nチャネル 消耗モード |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 100V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 170mA (Ta) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 0V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 170mA 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 1.8V @ 50μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 2.8 nC @ 7V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 68 pF @ 25 V |
| 電力消耗 (最大) | 360mW (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | PG-SOT23 |
| パッケージ/ケース | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 部分番号 | パッケージ |
|---|---|
| LCMXO2-1200ZE-2TG100I | 100TQFP |
| LCMXO3L-2100C-6BG256C | 256-CABGA |
| LCMXO3L-2100C-5BG256I | 256-CABGA |
| LCMXO2-2000HC-5MG132C | 132-CSPBGA |
| LCMXO2-2000HE-5MG132C | 132-CSPBGA |
| LCMXO3L-4300E-6MG324C | 324-CSFBGA |
| LCMXO2-1200ZE-3MG132I | 132-CSPBGA |
| LCMXO3LF-1300C-6BG256C | 256-CABGA |
| LCMXO3L-6900E-5MG256I | 256-CSFBGA |
| LCMXO3L-6900E-6MG256C | 256-VFBGA |
コンタクトパーソン: Sales Manager
電話番号: 86-13410018555
ファックス: 86-0755-83957753
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