M15T4G16256A-DEBG2CメモリーICチップ 高速933MHz DDR3 SDRAMメモリー

M15T4G16256A-DEBG2CメモリーICチップ 高速933MHz DDR3 SDRAMメモリー

M15T4G16256A-DEBG2Cの製品説明
M15T4G16256A-DEBG2Cは,4Gbのダブルデータレート3 (DDR3) DRAMで,高速操作を達成するためにダブルデータレートアーキテクチャを使用している.内部は8バンク DRAMとして構成されている.

4Gbチップは32Mbit x 16 I/O x 8 メモリデバイスに組織されている.これらの同期デバイスは,一般的なアプリケーションのために,1866 Mb/sec/pinまでの高速,二重データレートデータレートを達成する.

このチップは,DDR3 (L) DRAMのすべての主要な特性に対応するように設計されており,すべての制御およびアドレス入力が外部から供給される差分時計のペアと同期されている.入力は上昇する端に固定され,差分時計 (CK) の落ちる端に認識されます.すべてのI/Oは,ソース同期的に差異DQSと同期されます.

これらの装置は,単一の1.35V ± 0.067Vまたは1.5V ± 0.075Vの電源で動作し,BGAパッケージで提供されています.

M15T4G16256A-DEBG2Cの特徴
インターフェースと電源
SSTL_135:VDDVDDQ = 1.35V (−0.067V/+0.1V)
SSTL_15: VDDVDDQ =1.5V (0.075V)
JEDEC DDR3 ((L) 適合している
8n プレフェッチアーキテクチャー
差点時計 (CK/CK) とデータストローブ
(DQS/DQS)
DQ,DQS,DMに関する二重データの割合
データの完全性
オートリフレッシュと自己リフレッシュモード
省エネモード
部分配列自己リフレッシュ (PASR)
停止モード
信号の整合性
システム互換性のために設定可能なDS
設定可能なオン・ダイ終了
ZQDS/ODTインピーダンスの精度を測定する
外部ZQパッド (240オーム ±1%)
シグナル同期
MR 設定でレベルアップを書き込む
MPR を使ってレベルリングを読み取れ
プログラム可能な機能
CAS遅延 (CAS遅延) 5/6/7/8/9/10/11/12/13/14/15/16
CAS 書き込み遅延 (CAS Write Latency) 5/6/7/8/9/10/11/12
添加性遅延 (0/CL-1/CL-2)
書き直す時間 (5/6/7/8/10/12/14/16)
爆発型 (連続型/間接型)
爆発長さ (BL8/BC4/BC4 または 8 飛行中)
自動更新温度範囲 ((正常/拡張)
出力ドライバインペデンス (34/40)
RTT_Nomの終了日 (20/30/40/60/120)
RTT_WRの終了時 (60/120)
前充電 停止 (遅い/速い)

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よくある質問
Q. あなたの製品はオリジナルですか?
A: はい,すべての製品はオリジナル,新しいオリジナルの輸入は私たちの目的です.
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