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商品の詳細:
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| 部品番号: | NCV8406BDTRKG | Vds - ドレイン・ソース間降伏電圧:: | 65 v |
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| Id - 連続ドレイン電流:: | 7A | RDS オン - ドレイン・ソース間抵抗:: | 210ミリオーム |
| Vgs - ゲート・ソース間電圧:: | - 14V、14V | Vgs th - ゲート・ソース間閾値電圧:: | 2 v |
NCV8406BDTRKG TO-252-3 パッケージの集積回路チップ N チャネル 65V 7A ローサイド ドライバ NCV8406BDTRKG 65V 7.0A ローサイド ドライバは、さまざまな抵抗性、誘導性、容量性負荷を切り替えるように設計された 3 端子の自己保護型スマート ディスクリート デバイスです。 NCV8406BDTRKG ローサイド ドライバは、統合された静電放電 (ESD) 保護と、過電圧保護のためのドレインからゲートへのクランプを備えています。追加の保護機能には、短絡保護や自動再起動付きのサーマルシャットダウンなどがあります。
パラメータ
価値
トランジスタの極性
Nチャンネル
チャンネル数
1チャンネル
Vds - ドレイン・ソース間降伏電圧
65V
Id - 連続ドレイン電流
7A
Rds On - ドレイン・ソース間抵抗
210ミリオーム
Vgs - ゲート・ソース間電圧
-14V、14V
Vgs th - ゲート・ソース間閾値電圧
2V
最低動作温度
-40℃
最高動作温度
+150℃
Pd - 消費電力
1.31W
チャンネルモード
強化
構成
シングル
フォールタイム
692ns
製品タイプ
MOSFET
立ち上がり時間
486ns
標準的なターンオフ遅延時間
1600ns
標準的なターンオン遅延時間
127ns
部品番号
パッケージ
SARA-R410M-83B
LGA-96
SARA-R410M-83BWSIM
LGA-96
EG916QGLLC-N03-SNNSA
地方自治体
RG650VEU01AA-G93-SGASA
地方自治体
SARA-R410M-02B-04
LGA-96
EG800GEULD-I03-SNNDA
地方自治体
EG912NENAA-N06-MN0AA
地方自治体
EG060WEAAA-M25-CNASA
地方自治体
RM500UCNAB-D10-スナダ
M.2
BC95GRPB-04-STD
LCC
RM500UCNCB-D10-スナダ
M.2
BGM240PA32VNN3R
モジュール
NINA-B406-00B
モジュール
ニナ-B111-04B
モジュール
BGM13P22F512GE-V2R
モジュール
BGM11S22F256GA-V2R
モジュール
NINA-B312-01B
モジュール
NINA-B311-01B
モジュール
NINA-B312-00B
モジュール
RN4678APL-V/RM122
モジュール
BGM13P32F512GA-V2R
モジュール
BGM210LA22JNF2
モジュール
BGM11S12F256GA-V2R
モジュール
BM78SPP05NC2-0002AA
モジュール
BGM13P22F512GA-V2
モジュール
CYBT-253059-02
モジュール
ブルーエング-M0L
モジュール
LBCA1HN2EG-917
モジュール
ニーナ-B506-00B
モジュール
NINA-B501-00B
モジュール
コンタクトパーソン: Sales Manager
電話番号: 86-13410018555
ファックス: 86-0755-83957753