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商品の詳細:
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| 部品番号: | PSMN2R4-30YLD | ドレイン・ソース間電圧 (Vdss): | 30V |
|---|---|---|---|
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C: | 100A （Tc） | 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン): | 4.5V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 2.4mOhm @ 25A、10V | Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.2V @ 1mA |
PSMN2R4-30YLD LFPAK56 パッケージのロジック レベル ゲート駆動 N チャネル エンハンスメント モード MOSFET。独自の「SchottkyPlus」テクノロジーを利用した NextPowerS3 ポートフォリオは、ショットキーまたはショットキー類似ダイオードを統合した MOSFET に通常伴う高効率、低スパイク性能を実現しますが、問題となる高い漏れ電流は発生しません。 NextPowerS3 は、高いスイッチング周波数での高効率アプリケーションに特に適しています。
| パラメータ | 価値 |
|---|---|
| トランジスタの極性 | Nチャンネル |
| チャンネル数 | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン・ソース間降伏電圧 | 30V |
| Id - 連続ドレイン電流 | 100A |
| Rds On - ドレイン・ソース間抵抗 | 2.4ミリオーム |
| Vgs - ゲート・ソース間電圧 | -20V、20V |
| Vgs th - ゲート・ソース間閾値電圧 | 1.2V |
| Qg - ゲートチャージ | 31.3nC |
| 最低動作温度 | -55℃ |
| 最高動作温度 | +175 °C |
| Pd - 消費電力 | 106W |
| チャンネルモード | 強化 |
| 構成 | シングル |
| フォールタイム | 13.9ns |
| 製品タイプ | MOSFET |
| 立ち上がり時間 | 27.5ns |
| トランジスタの種類 | 1 Nチャンネル |
| 標準的なターンオフ遅延時間 | 17.4ns |
| 標準的なターンオン遅延時間 | 16.3ns |
| 部品番号の別名 | 934067965115 |
| 単重 | 91.420mg |
| 部品番号 | パッケージ |
|---|---|
| R7S910007CBA | FBGA-320 |
| R7S910026CBA | FBGA-320 |
| R7S910027CBA | FBGA-320 |
| R7S910025CBA | FBGA-320 |
| R7S910036CBA | FBGA-320 |
| R7S910028CBA | FBGA-320 |
| R7S910015CBA | FBGA-320 |
| R7S910016CBA | FBGA-320 |
| R7S910018CBA | FBGA-320 |
| R7S910017CBA | FBGA-320 |
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