H5AN8G6NDJR-XNC メモリICチップ 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps データレート FBGA-96パッケージ

H5AN8G6NDJR-XNCは、大容量メモリ密度と高帯域幅を必要とするメインメモリアプリケーションに最適な、8Gb CMOS DDR4 (Double Data Rate IV) 同期DRAMです。

• VDD=VDDQ=1.2V +/- 0.06V
• 差動クロック入力 (CK, CK) 動作
• 差動データストローブ (DQS, DQS)
• オンチップDLLにより、DQ、DQS、DQSの遷移をCKの遷移に同期
• DMはデータストローブの立ち上がりエッジと立ち下がりエッジの両方で書き込みデータをマスク
• プログラム可能なCASレイテンシ 9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20をサポート
• プログラム可能なアドティブレイテンシ 0、CL-1、CL-2をサポート (x4/x8のみ)
• プログラム可能なCAS書き込みレイテンシ (CWL) = 9、10、11、12、14、16、18
• プログラム可能なバースト長 4/8 (ニブルシーケンシャルおよびインターリーブモード両方)
• BLはオンザフライで切り替え可能
• 16バンク
• 平均リフレッシュサイクル (Tcase 0℃～95℃)
• JEDEC標準 78ボールFBGA (x4/x8)、78ボールFBGA (x16)
• MRSによるドライバ強度選択
• ダイナミックオンダイ終端対応
• ODTピンで切り替え可能なRTT_PARKおよびRTT_NOMの2つの終端状態
• 非同期リセットピン対応
• ZQキャリブレーション対応
• TDQS (終端データストローブ) 対応 (x8のみ)
• 書き込みレベライゼーション対応
• 8ビットプリフェッチ
• RoHS準拠
• 内部Vref DQレベル生成可能
• 全スピードグレードで書き込みCRC対応
• 最大省電力モード対応
• TCAR (温度制御自動リフレッシュ) モード対応
• LP ASR (低電力自動自己リフレッシュ) モード対応
• ファイングラニュラリティリフレッシュ対応
• DRAMごとのアドレス指定対応
• ギアダウンモード (1/2レート、1/4レート) 対応
• 読み書き用プログラム可能なプリアンブル対応
• セルフリフレッシュアボート対応
• CAパリティ (コマンド/アドレスパリティ) モード対応
• バンクグループ内のCAS-to-CASレイテンシにより、同じ/異なるバンクグループへのアクセスにバンクグループ適用
• DBI (データバス反転) 対応 (x8)

パーソナルコンピューティングデバイス: 高性能ラップトップおよびミニPC (NUC) 用メモリモジュール (SO-DIMM); オールインワンPCおよびエントリーレベルデスクトップ用オンボードメモリ設計

サーバーおよびデータセンター: エンタープライズクラスサーバー用メモリモジュールアセンブリ (RDIMM/UDIMM); データセンターストレージアレイのエッジノード; クラウドコンピューティングインフラストラクチャ用メモリプール

産業用および組み込みシステム: 産業用制御および自動化機器用システムメモリ; ネットワーク通信機器 (ルーター、スイッチ) 用パケットバッファリング; 医療機器およびテスト・測定機器用メインメモリ

家電製品: ハイエンドスマートテレビ、デジタルセットトップボックス、ゲームコンソールなど、高メモリ帯域幅を必要とするデバイス