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商品の詳細:
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| 部品番号: | SVT2020N090SC1 | タイプ: | 炭化ケイ素 MOSFET トランジスタ |
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| パッケージ: | D2PAK-7 | ドレイン・ソース間電圧 (Vdss): | 900ボルト |
| ハイライト: | 900Vドレイン-ソース間電圧シリコンカーバイドMOSFETトランジスタ,低RDSon炭化ケイ素MOSFETトランジスタ,超低ゲート電荷シリコンカーバイド MOSFET トランジスタ |
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SVT2020N090SC1 炭化ケイ素 (SiC) MOSFET は、先進技術を採用し、従来のシリコンコンポーネントと比較して優れたスイッチング性能と信頼性を実現します。低オン抵抗とコンパクトなチップ設計により、この MOSFET は最小限の静電容量とゲート電荷を確保し、最高の効率、より高速な動作周波数、増加した電力密度、低減された EMI、および小型化されたシステムサイズを実現します。
| 部品番号 | パッケージ |
|---|---|
| PI7C9X2G312GPBNJE | 196-LBGA |
| DRV8353SMRTAT | 40-WFQFN |
| DRV8328DRUYR | 28-VFQFN |
| UCC5350SBQDRQ1 | 8-SOIC |
| DRV8353FHRTAR | 40-WFQFN |
| DRV8714SQRHARQ1 | 40-VFQFN |
| DRV8328ARUYR | 28-VFQFN |
| LMG3411R050RWHR | 32-VQFN |
| TPS59603QDSGTQ1 | 8-WFDFN |
| UCC27282QDDARQ1 | 8-SOIC |
| LMG3411R070RWHR | VQFN32 |
| DRV8106HQRHBRQ1 | 32-VFQFN |
| NCD57090CDWR2G | 8-SOIC |
| NCV57090BDWR2G | 8-SOIC |
| MAX16138ATA01/VY | 8-TDFN |
| MAX16150CWT | 6-WFBGA |
| MAX16127TC/V | 12-WFQFN |
| ADM1266ACPZ | 64-WFQFN |
| TPS35AA38AGADDFRQ1 | SOT-23-8 |
| TPS3436CCCBGDDFRQ1 | SOT-23-8 |
| TPS35AA17AGADDFR | SOT-23-8 |
| TPS3435CAKAGDDFR | SOT-23-8 |
| TPS35CA43DACDDFRQ1 | SOT-23-8 |
| TPS36CA66BECDDFRQ1 | SOT-23-8 |
| TPS37F010122DSKR | 10-WFDFN |
| TPS37A010122DYYRQ1 | SOT-23-14 |
| TPS37043BJOFDDFRQ1 | SOT-23-8 |
| TPS37B010122DSKR | 10-WFDFN |
| TPS38J010155DSKRQ1 | 10-WFDFN |
| TPS37A543222DSKRQ1 | 10-WFDFN |
コンタクトパーソン: Sales Manager
電話番号: 86-13410018555
ファックス: 86-0755-83957753
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