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商品の詳細:
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| 部品番号: | SIR680ADP | シリーズ: | トレンチFET® Gen IV |
|---|---|---|---|
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss): | 80V | 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C: | 30.7A(Ta)、125A(Tc) |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs: | 83 nC @ 10 V | 電力散逸(最大): | 6.25W (Ta),104W (Tc) |
| ハイライト: | 80Vのドレイン・ソース間電圧パワーMOSFET,125A 連続ドレイン電流 N チャネル トランジスタ,TrenchFET Gen IV テクノロジー集積回路チップ |
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SIR680は、TrenchFET® Gen IVテクノロジーを採用したNチャネルパワーMOSFETです。PowerPAK® SO-8パッケージに収められており、高効率を必要とする電力変換アプリケーション向けに特別に設計されています。
| パラメータ | 値 |
|---|---|
| 製品カテゴリ | MOSFET |
| テクノロジー | Si |
| 実装スタイル | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース | PowerPAK-SO-8 |
| トランジスタ極性 | Nチャネル |
| チャネル数 | 1チャネル |
| Vds - ドレイン-ソース間降伏電圧 | 80 V |
| Id - 連続ドレイン電流 | 125 A |
| Rds On - ドレイン-ソース間抵抗 | 2.88 mOhms |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧 | -20 V, 20 V |
| Vgs th - ゲート-ソース間閾値電圧 | 3.5 V |
| Qg - ゲート電荷 | 43 nC, 55 nC |
| 最小動作温度 | -55℃ |
| 最大動作温度 | +150℃ |
| Pd - 電力損失 | 104 W |
| 部品番号 | パッケージ |
|---|---|
| ADT7604BSTZ | LQFP-48 |
| ADT7604ASTZ | LQFP-48 |
| ADT7604CSTZ | LQFP-48 |
| GANSPIN612 | QFN |
| ST4SI3M004600HFW | VFDFPN8 |
| STA8610AS1 | LFBGA100 |
| VD55H1CCA0/RW | ダイ |
| STHVUP32 | FCBGA168 |
| STHVUP64 | FCBGA196 |
| SGT023R70FTP | TOLT-16 |
| SGT1D5R10MEA | En-FCLGA 5x6 |
| SIT92112AI | DFN-8 |
| SIT92211AI | QFN-48 |
| SIT92113AI | QFN-24 |
| SIT92216AI | QFN-32 |
| SIT92110AI | QFN-32 |
| SIT92114AI | DFN-8 |
| SIT9184AA | DFN-8 |
| SIT91211 | QFN-24 |
| SIT8924BA | PQFN-4 |
| SIT8944BA | PQFN-4 |
| SIT5503AC | CQFN-10 |
| SIT9121AI | SMD-6 |
| SIT8944BM | PQFN-4 |
| SIT9346AI | SMD-6 |
| SIT8944BI | PQFN-4 |
| SIT5541AE | CQFN-10 |
| SIT5346AI | CQFN-10 |
| SIT7601AA | PQFN-4 |
| SIT8209AI | PQFN-4 |
コンタクトパーソン: Sales Manager
電話番号: 86-13410018555
ファックス: 86-0755-83957753