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商品の詳細:
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| 部品番号: | SIR626LDP | シリーズ: | トレンチFET® Gen IV |
|---|---|---|---|
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss): | 80V | 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C: | 30.7A(Ta)、125A(Tc) |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs: | 83 nC @ 10 V | 電力散逸（最大）: | 6.25W (Ta),104W (Tc) |
| ハイライト: | 60Vのドレイン・ソース間電圧パワーMOSFET,30.7A 連続ドレイン電流 MOSFET,1.5 mOhm ドレイン・ソース抵抗 N チャネル・パワー MOSFET |
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SIR626は、第4世代TrenchFETプロセスで製造された高性能60V NチャネルパワーMOSFETで、極めて高い効率と高周波スイッチングを必要とするアプリケーションに最適化されています。その主な利点は、極めて低いオン抵抗（1.5 mΩ）と最適化されたゲート電荷（41 nC）の組み合わせであり、業界をリードする性能指数（FOM）を提供します。これにより、高効率と高電力密度が要求される電力変換、同期整流、モーター駆動などのアプリケーションに理想的な選択肢となります。
| パラメータ | 値 |
|---|---|
| 製品カテゴリ | MOSFET |
| テクノロジー | Si |
| 実装スタイル | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース | PowerPAK-SO-8 |
| トランジスタ極性 | Nチャネル |
| チャンネル数 | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース間降伏電圧 | 60 V |
| Id - 連続ドレイン電流 | 186 A |
| Rds On - ドレイン-ソース間抵抗 | 1.5 mΩ |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧 | -20 V, 20 V |
| Vgs th - ゲート-ソース間閾値電圧 | 1 V |
| Qg - ゲート電荷 | 135 nC |
| 最小動作温度 | -55℃ |
| 最大動作温度 | +150℃ |
| Pd - 電力消費 | 104 W |
| チャンネルモード | エンハンスメント |
| 構成 | シングル |
| フォールタイム | 10 ns |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小 | 140 S |
| 製品タイプ | MOSFET |
| ライズタイム | 64 ns |
| トランジスタタイプ | 1 Nチャネル |
| 標準オフ遅延時間 | 45 ns |
| 標準オン遅延時間 | 17 ns |
| 部品番号 | パッケージ |
|---|---|
| SGT1D5R10MEA | En-FCLGA 5x6 |
| SIT92112AI | DFN-8 |
| SIT92211AI | QFN-48 |
| SIT92113AI | QFN-24 |
| SIT92216AI | QFN-32 |
| SIT92110AI | QFN-32 |
| SIT92114AI | DFN-8 |
| SIT92184AA | DFN-8 |
| SIT91211 | QFN-24 |
| SIT8924BA | PQFN-4 |
| SIT8944BA | PQFN-4 |
| SIT5503AC | CQFN-10 |
| SIT9121AI | SMD-6 |
| SIT8944BM | PQFN-4 |
| SIT9346AI | SMD-6 |
| SIT8944BI | PQFN-4 |
| SIT5541AE | CQFN-10 |
| SIT5346AI | CQFN-10 |
| SIT7601AA | PQFN-4 |
| SIT8209AI | PQFN-4 |
| SIT9356AE | SMD-6 |
| SIT9346AE | SMD-6 |
| SIT5501AI | CQFN-10 |
| SIT5501A | CQFN-10 |
| SIT5501AICWU | CQFN-10 |
| SIT9375AC | PQFD-6 |
| SIT9375AI | PQFD-6 |
| SIT9375AB | PQFD-6 |
| SIT9375AE | PQFD-6 |
| SIT9501AC | PQFN-6 |
コンタクトパーソン: Sales Manager
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