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商品の詳細:
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| 部品番号: | IRFP3206 | FETタイプ: | nチャネル |
|---|---|---|---|
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss): | 60V | 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C: | 120A （Tc） |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs: | 170 NC @ 10ボルト | 電力散逸（最大）: | 280W （Tc） |
| ハイライト: | 60V パワーMOSFET,120Aトランジスタ,280W 集積回路チップ |
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IRFP3206 是一款采用 TO-247 封装的 60V 单通道 N 沟道 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 晶体管。StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。
IRFP3206 非常适合需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合可满足广泛的应用需求，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 转换器。
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压 (Vdss) | 60 V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| 驱动电压 (最大 Rds On, 最小 Rds On) | 10V |
| Rds On (最大) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 150μA |
| 栅极电荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 输入电容 (Ciss) (最大) @ Vds | 6540 pF @ 50 V |
| 功耗 (最大) | 280W (Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 零件号 | 封装 |
|---|---|
| LTC4234HWHH | QFN-38 |
| LTC4234IWHH | QFN-38 |
| LTC4232CDHC-1 | DFN-16 |
| LTC4232IDHC-1 | DFN-16 |
| LT4200RUHG | QFN-36 |
| MAX16545BGPF | FCQFN-22 |
| MAX16545CGPF | FCQFN-22 |
| MAX22500EATB | TDFN-10 |
| LTC3638EMSE | MSOP-16 |
| TLE9744QK | PG-LQFP-64 |
| LTC3638IMSE | MSOP-16 |
| ARA-2120AA-IA0T-B | FCBGA-625 |
| ARA-2120AA-CA0T-B | FCBGA-625 |
| MC33PF8250A0TS | HVQFN-56 |
| MC34PF8150A0TS | HVQFN-56 |
| MC33PF8150A0TS | HVQFN-56 |
| MCXE316MPA | HDQFP-100 |
| MCXE317MPA | HDQFP-100 |
| MCXE31BMPB | HDQFP-172 |
| MIMX9101CVXXCAB | FCBGA-208 |
| MIMX9101DVXXCAB | FCBGA-208 |
| MIMX9111CVXXJAB | FCBGA-208 |
| MIMX9111DVXXJAB | FCBGA-208 |
| MIMX9121CVVXCAB | LFBGA306 |
| MIMX9121DVVXCAB | LFBGA306 |
| MIMX9131DVVXJAB | LFBGA306 |
| RRW11011-176 | DFN-16 |
| RRW40120-002 | SOIC-14 |
| RRW30120-110 | QFN-16 |
| RRW22121-153 | QFN-22 |
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