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商品の詳細:
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| 部品番号: | IPP65R150CFD | シリーズ: | CoolMOS™ |
|---|---|---|---|
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss): | 650 V | 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C: | 22.4A(Tc) |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs: | 86 NC @ 10ボルト | 電力散逸（最大）: | 195.3W(Tc) |
| ハイライト: | 650Vパワートランジスタ,22.4A 集積回路チップ,CoolMOS™ CFD2 MOSFET |
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IPP65R150 は、CoolMOS™ CFD2 シリーズに属する N チャネル・パワー・MOSFET です。TO-220 パッケージに収められており、高周波・高効率変換を必要とする共振スイッチング電源アプリケーションに最適化されています。
| 製品カテゴリ | MOSFET |
|---|---|
| テクノロジー | Si |
| 実装スタイル | スルーホール |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| トランジスタ極性 | N チャネル |
| チャネル数 | 1 チャネル |
| Vds - ドレイン-ソース間降伏電圧 | 650 V |
| Id - 連続ドレイン電流 | 22.4 A |
| Rds On - ドレイン-ソース間抵抗 | 135 mOhms |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧 | -20 V, 20 V |
| Vgs th - ゲート-ソース間閾値電圧 | 3.5 V |
| Qg - ゲート電荷 | 86 nC |
| 最小動作温度 | -55 ℃ |
| 最大動作温度 | +150 ℃ |
| Pd - 電力損失 | 195.3 W |
| 部品番号 | パッケージ |
|---|---|
| PCI11414C/PMX | VQFN-164 |
| PCI11414C-I/PMX | VQFN-164 |
| PIC32CX2051BZ62132-E/3WW | VQFN-132 |
| PIC32CX2051BZ62132-I/3WW | VQFN-132 |
| PIC32WM-BZ6204UE-I | MODULE |
| MIC45M235T-E/5JW | MODULE |
| MCPF1525M06T-E/8ZW | MODULE |
| MIC24066T-E/QNA | VQFN-36 |
| MIC24067T-E/QNA | VQFN-36 |
| MIC28514T-E/PHA | VQFN-36 |
| PAC1721T-2E/9QVAO | VDFN-10 |
| PAC1721T-1E/3PVAO | VDFN-8 |
| PAC1721T-1E/3P | VDFN-8 |
| PAC1721T-2E/9Q | VDFN-10 |
| PCI1005-I/5CW | FCCSP-353 |
| PCI1005/5CW | FCCSP-353 |
| AMC0380R06DFXR | SSOP-15 |
| LMK3H0102A002RERR | TQFN-16 |
| LMK3H0102A016RERR | TQFN-16 |
| LMK3H0102A018RERR | TQFN-16 |
| LMK3H0102A01DRERR | TQFN-16 |
| LMK3H0102A01ERERR | TQFN-16 |
| LMK3H0102A022RERR | TQFN-16 |
| LMK3H0102A023RERR | TQFN-16 |
| TPS3808EG09DBVR | SOT-23-6 |
| TPS3808EG125DBVR | SOT-23-6 |
| TPS3808EG12DBVR | SOT-23-6 |
| TPS3808EG15DBVR | SOT-23-6 |
| TPS3808EG19DBVR | SOT-23-6 |
| TPS3808EG18DBVR | SOT-23-6 |
コンタクトパーソン: Sales Manager
電話番号: 86-13410018555
ファックス: 86-0755-83957753
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