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商品の詳細:
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| 部品番号: | LTC4357IDCB | 遅延時間 - オフ: | 300ns |
|---|---|---|---|
| 電流 - 供給: | 500 µA | 電圧 - 電源: | 9V | 80V |
| 動作温度: | -40°C〜85°C | 比率 - 入力：出力: | N:1 |
| ハイライト: | 正の高電圧集積回路チップ,9V～80Vの理想ダイオードコントローラ,電力損失を削減 LTC4357IDCB |
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LTC4357 是一款正高压理想二极管控制器，它驱动外部 N 沟道 MOSFET 来替代肖特基二极管。在二极管 OR 和大电流二极管应用中，LTC4357 可降低功耗、散热、压降和 PCB 板面积。
LTC4357 可轻松地将电源进行 OR 连接，以提高整体系统可靠性。在二极管 OR 应用中，LTC4357 控制 MOSFET 上的正向压降，以确保从一个路径到另一个路径的平滑电流传输，而不会发生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大限度地减少反向电流瞬变。
| 输出电流 | 80 uA |
| 最大输出电压 | 80 V |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 最高工作温度 | +85°C |
| 输入电流 | 350 uA |
| 输入电压范围 | 9 V 至 80 V |
| 工作电源电流 | 500 uA |
| 工作电源电压 | 9 V 至 80 V |
| 输出电压范围 | 9 V 至 80 V |
| 单位重量 | 15 mg |
| 零件号 | 封装 |
|---|---|
| SDINBDA6-32G-ZA | BGA |
| SDINDDH6-256G-I | BGA |
| SDINBDG4-64G-H | BGA |
| SDINDDH6-32G-XI | BGA |
| SDINBDG4-32G-ZI | BGA |
| SDINBDG4-64G-ZI | BGA |
| SDINADF4-32G-H | BGA |
| SDINBDG4-32G-H | BGA |
| SDINDDH4-256G | BGA |
| SDINBDG4-8G-A | BGA |
| SDINDDH6-16G-ZA | BGA |
| SDINBDG4-16G-H | BGA |
| SDINBDG4-8G-H | BGA |
| SDINDDH6-256G-XI | BGA |
| SDINBDA6-256G-I1 | BGA |
| SDINBDG4-64G-A | BGA |
| SDINBDG4-32G-A | BGA |
| SDINDDH4-128G | BGA |
| SDINDDH6-128G-XI | BGA |
| SDINDDH6-64G-XI | BGA |
| SDINBDV4-128G | BGA |
| SDINBDV4-256G | BGA |
| SDINBDG4-64G-ZA2 | BGA |
| SDINBDA6-32G-XA1T | BGA |
| SDINBDA6-64G-ZA1T | BGA |
| SDINBDG4-64G-ZAT2 | BGA |
| SDINDDH6-16G-XI | BGA |
| SDINDDH6-256G-XAT | BGA |
| SDINDDH6-64G-ZA | BGA |
| SDINBDV4-64G-P | BGA |
コンタクトパーソン: Sales Manager
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