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商品の詳細:
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| 部品番号: | IPP65R190CFD | ドレイン・ソース間電圧 (Vdss): | 650 V |
|---|---|---|---|
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C: | 14A （Tc） | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 190mOhm @ 6.4A、10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 4.5V @ 320µA | 消費電力: | 77W （Tc） |
| ハイライト: | 650V パワー MOSFET,190ミリオームの集積回路チップ,14A CoolMOS™ Nチャンネル |
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IPP65R190 是英飞凌生产的 650V CoolMOS™ CFD2 N沟道功率MOSFET晶体管。这款第二代高压MOSFET集成了快速体二极管，与竞争对手的产品相比，具有更高的能效和更优的EMI性能。
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 晶体管极性 | N沟道 |
| 通道数 | 1通道 |
| Vds - 漏源击穿电压 | 650 V |
| Id - 连续漏极电流 | 12 A |
| Rds On - 漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| Vgs - 栅源电压 | 20 V |
| Vgs th - 栅源阈值电压 | 4.5 V |
| Qg - 栅极电荷 | 23 nC |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| Pd - 功率耗散 | 63 W |
IPP65R190CFD, IPP65R190CF, IPP65R190C, IPP65R190
| 零件号 | 封装 |
|---|---|
| TXU0304DTRR | X2QFN-12 |
| TXU0204PWR | TSSOP-14 |
| TXU0204BQAR | WQFN-14 |
| TXU0204RUTR | UQFN-12 |
| TXU0204DTRR | X2QFN-12 |
| F29H859TU8QZEXRQ1 | NFBGA-256 |
| AM2611AOFFHIZEJR | NFBGA-256 |
| AM2611AODFHIZNCR | NFBGA-293 |
| AM2611AOFFHIZCZR | NFBGA-324 |
| AM2611AODFHIZEJR | NFBGA-256 |
| AM2611AOFFHIZNCR | NFBGA-293 |
| MSPM0L2116SPMR | LQFP-64 |
| MSPM0L2116SRUYR | WQFN-28 |
| MSPM0L2116SRHBR | VQFN-32 |
| MSPM0L2116SPTR | LQFP-48 |
| MSPM0L2116SRGER | VQFN-24 |
| MSPM0L2117SRGER | VQFN-24 |
| MSPM0L2117SRUYR | WQFN-28 |
| MSPM0L2117SRHBR | VQFN-32 |
| MSPM0L2117SPMR | LQFP-64 |
| MSPM0G5187SRGZR | VQFN-48 |
| MSPM0G1107TDGS28R | VSSOP-28 |
| MSPM0G1107TYCJR | DSBGA-28 |
| MSPM0G1506SYCJR | DSBGA-28 |
| AM5749ABZXEA | FCCSP-760 |
| TDA2PSXTQABZRQ1 | FCCSP-760 |
| TDA3LADBABFRQ1 | FCBGA-367 |
| ADBMS6830MWCCSZ | LQFP-80 |
| TDA2EGAHQABCRQ1 | FCBGA-760 |
| DRA724JGABCRQ1 | FCBGA-760 |
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