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BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

認証
中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications
BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

大画像 :  BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: BLC10G22XS-301AVT
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: SOT1275-1
受渡し時間: 5~8営業日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタンユニオン
供給の能力: 1日あたり10000個

BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

記述
部品番号: BLC10G22XS-301AVT テクノロジー: ldmos
頻度: 2.11GHz ~ 2.17GHz 電力 - 出力: 350W
現在の評価(AMP): 1.4μA 電圧 - 定格: 65 v
ハイライト:

300W LDMOS Transistor

,

2.11GHz ~ 2.17GHz Integrated Circuit Chip

,

Asymmetric Doherty RF MOSFET Transistor

BLC10G22 Integrated Circuit Chip 300W Asymmetric Doherty Power LDMOS Transistor SOT1275-1 Product Overview Of BLC10G22 BLC10G22 is a 300W LDMOS packaged asymmetric Doherty power transistor for base station applications at frequencies from 2110 MHz to 2170 MHz. Specifications Of BLC10G22 Product Category RF MOSFET Transistors Technology Si Id - Continuous Drain Current 1.4 uA Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V Operating Frequency 2.11 GHz to 2.17 GHz Gain 15 dB Output

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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