W632GU6RB-11 メモリICチップ 2Gbit DDR3L SDRAM 933MHz 低電圧 組み込みシステム用

W632GU6RB-11は2Gb DDR3L SDRAMメモリチップである. DDR3Lは,高速データ転送能力を維持しながら,電力消費を大幅に削減する低電圧バージョンのDDR3である.エネルギー効率と帯域幅の両方の要件を持つ組み込みシステムに最適化.

W632GU6RB-11は16M × 8バンク × 16ビットアーキテクチャ,総容量2Gb,データバス幅16ビット (x16) を搭載.コア電圧1.35V (VDD) とI/O電圧1.35 V/1.5 V (VDDQ) で,DRR3 の標準 1.5 V I/O レベルと互換性を維持し,システム設計中に柔軟な選択を可能にします.チップは 96 ボール VFBGA パッケージに収蔵されています.大きさは7.5 mm × 13 mm で,空間が限られた埋め込みアプリケーションに適しています.

• 電源: 1.35V (典型), VDD, VDDQ = 1.283V から 1.45V
• VDDとバックコンパクトで,VDDQ = 1.5V ± 0.075V
• ダブルデータレートアーキテクチャ: 時計サイクルあたり2回のデータ転送
• 同期運用のための8つの内部バンク
• 8ビットプレフェッチアーキテクチャ
• CAS 遅延: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 13 と 14
• 爆発長8 (BL8) と爆発切断4 (BC4) モード:モードレジスタ (MRS) により固定またはオン・ザ・フライ (OTF) で選択可能
• プログラム可能な読み込み・バースト順序: 交差またはニッブル順序
• 双方向の差分データストロブ (DQSとDQS#) がデータと共に送信/受信されます
• 読み込みデータと縁を並べ,書き込みデータとセンターを並べ
• DLL は DQ と DQS 移行をクロックと並べます
• 差点クロック入力 (CKとCK#)
• 各正のCKエッジ,データ,データマスクに入力されたコマンドは,差分データストロブペアの両方のエッジに参照されます (データ速度は倍になります)
• コマンド,アドレス,データバス効率の向上のために,プログラム可能な添加遅延 (AL = 0, CL - 1 と CL - 2) を有するCASを投稿
• 読み込み遅延 = 加算遅延 + CAS遅延 (RL = AL + CL)
• 読み書きバーストの自動前充電操作
• 更新,自己更新,自動自己更新 (ASR) と部分配列自己更新 (PASR)
• 前充電電源オフとアクティブ電源オフ
• 書き込みデータ用のデータマスク (DM)
• プログラム可能なCAS書き込み遅延 (CWL) 動作周波数ごとに
• 遅延 WL = AL + CWL と書く
• 前もって定義されたシステムタイミング校正ビットシーケンスを読み出すための多目的レジスタ (MPR)
• システムレベルのタイムリング校正サポート 書き込みレベル化とMPR読み込みパターン
• ZQ アウトपुटドライバとODTの校正は,外部参照抵抗を地面に使用する
• パワーアップ初期化シーケンスとリセット機能のための非同期 RESET#ピン
• データ,データマスク,差点ストロブペアのプログラム可能なオン・ダイ終了 (ODT)
• ダイナミック ODT モード,シグナル整合性を向上させ,書き込み中に事前選択可能な終止阻力
• 2K バイト ページサイズ

• 組み込みシステム: 工業制御,人間機械インターフェース (HMI) やデータ収集端末などの中容量高速キャッシュを必要とするアプリケーション
• ネットワーク機器: ルーター,スイッチ,ゲートウェイなどの通信装置のデータバッファリング
• 消費者電子機器: デジタルテレビ,セットトップボックス,スマートスピーカーなどのコストに敏感な消費者製品
• 自動車用電子機器:車内インフォテインメントシステムとナビゲーション装置 (工業用温度バージョンを選択しなければならない)
• 産業用ビジョン: 機械ビジョンカメラや画像キャプチャカードのフレームバッファリング