中国 集積回路の破片

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  統合回路チップ NTH4L014N120M3P 1200V 686W シリコンカービッド MOSFET トランジスタ

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  統合回路チップISC060N10NM6ATMA1 シングルNチャネルMOSFETトランジスタ 8PowerTDFN

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  統合回路チップ NVH4L015N065SC1 NチャネルシリコンカービッドMOSFETトランジスタ

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  統合回路チップ ISC080N10NM6ATMA1 19nC 100V 75A 1チャネルモスフェットトランジスタ

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  統合回路チップ NVH4L045N065SC1 シリコンカービッド MOSFET トランジスタ 表面マウント

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  統合回路チップ NVH4L075N065SC1 38A 148W シリコンカービッド MOSFET トランジスタ

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  穴を通した集積回路の破片SCT4062KEC11のN-channel MOSFETのトランジスター

  部品番号:SCT4062KEC11

  テクノロジー:SiCFET （炭化ケイ素）

  FETのタイプ:N-Channel

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  穴を通した電子集積回路SCT3040KRC14 MOSFETのトランジスター

  部品番号:SCT3040KRC14

  流出させなさいに源の電圧（Vdss）:1200ボルト

  現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C:55A （Tc）

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  集積回路チップ LT8350RV 6A 同期バックブーストサイレントスイッチ

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  統合回路チップ TPS55160QPWPRQ1 5.7V バックブーストスイッチング制御IC

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  統合回路チップ LM34936QPWPRQ1 30V ワイドVIN 4スイッチバックブーストコントローラ

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  統合回路チップ MAX20048ATGB/VY 40V 55A IQ H-ブリッジ バックブーストコントローラ

  最小注文数量:10

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