部品番号:SCT4026DW7TL
テクノロジー:SiCFET （炭化ケイ素）
パッケージ/場合:TO-263-7L
部品番号:SCT2280KEHRC11
流出させなさいに源の電圧（Vdss）:1200ボルト
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）:18V
部品番号:SCT2280KEHRC11
ボディ ダイオードは現在先に脈打った:43A
ゲート-源の電圧（DC）:-4Vへの+21V
部品番号:SCT4036KEC11
-源の電圧を流出させなさい:1200V
脈打った下水管の流れ:84A
部品番号:SCT4062KRC15
Qg -ゲート充満:64 NC
Vgs （最高）:+21V、-4V
部品番号:SCT4018KW7TL
テクノロジー:SiCFET （炭化ケイ素）
Rds:18のmOhms
部品番号:SCT4018KRC15
RDS （） （タイプ。）:18mΩ
FETのタイプ:N-Channel
部品番号:SCT4026DEC11
RDS （） （タイプ。）:26mΩ
保存温度範囲:-40°Cへの+175°C
部品番号:BUK6Y33-60PX
Vgs -ゲート源の電圧:- 20ボルト、+ 20ボルト
トランジスター極性:P-Channel
部品番号:BUK6Y24-40PX
様式の取付け:SMD/SMT
チャネルの数:1つのチャネル
部品番号:BUK6Y19-30PX
パッケージ/場合:パワーSO8 LFPAK56
シリーズ:、AEC-Q101、TrenchMOS™自動車
部品番号:BUK6Y10-30PX
Vgs （（最高） Th） @ ID:3V @ 250µA
Pd -電力損失:110 W
Japanese
