部分番号:IPDQ60R017S7XTMA1
Rds:17ミリオーム
VgsのTh:4.5V
部分番号:IPQC60R017S7XTMA1
Qg -ゲート充満:196 NC
最低動作温度:- 40°C
部分番号:IPQC60R040S7XTMA1
Vgs (最大):±20V
ドライブ電圧:12V
部分番号:IPP60R040S7XKSA1
Rdsのオン下水管源の抵抗:40ミリオーム
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:4.5V
部分番号:FCH060N80-F155
タイプ。RDS （）:54のm
超低いゲート充満:タイプ。Qg = 270 NC
部分番号:IPBE65R230CFD7AATMA1
FETタイプ:Nチャンネル
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:1044 pF @ 400ボルト
部分番号:NTPF082N65S3F
チャネル モード:強化
トランジスタタイプ:N-ChannelのSuperFET 1つのIII MOSFET
部分番号:NTMFSC0D9N04CL
サイズ:5mm x 6mm
トランジスター極性:Nチャンネル
部分番号:IPP65R099CFD7AAKSA1
Vgs (最大):±20V
電力損失（最高）:127W （Tc）
部分番号:IPBE65R145CFD7AATMA1
テクノロジー:MOSFET （金属酸化物）
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:17A （Tc）
部分番号:NTHL020N090SC1
脈打った下水管の流れ（TA = 25°C）:472A
超低いゲート充満:QG （幼児） = 196 NC
部分番号:IPD050N10N5ATMA1
源の電圧に流出させなさい:100V
チャンネル数:1
