部品番号:IMW65R072M1H
Qg:22 NC
VGS:18ボルト
部品番号:IMZ120R350M1H
基準のゲートの境界の電圧:VGS （Th） = 4.5V
最高Tvj:175°C
部品番号:IMW65R030M1H
電圧の運転:18v
チャネル モード:強化
部品番号:IMBG65R039M1H
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C:54A （Tc）
（最高） @ ID、VgsのRds:51mOhm @ 25A、18V
部品番号:IMBG65R048M1H
ピーク下水管の流れ（最高）:99A
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs:33 NC @ 18ボルト
部品番号:IMBF170R450M1
プロダクト状態:活動的
FETのタイプ:N-Channel
部品番号:10122665-101LF
終了:Press-Fit
接触の終わり:金
部品番号:PIC24FJ128GC010-I/PT
換算値:10までMsps
利益帯域幅プロダクト:2.5 MHzの利益帯域幅プロダクト（典型的な）
部品番号:L99MD02XPTR
RON:Typ.0.9 Ω （HS）
各出力（分）の現在の限界:0.8 A
部品番号:MLX90328LDC-DBA-000-RE
供給電圧（過電圧）:18v
逆電圧保護:-14 V
部品番号:HFCN-6010+
パッケージ:6-SMD
タイプ:中心の高域通過陶磁器フィルター
部品番号:EP2K1+
プロダクト状態:活動的
挿入損失:2.4dB
