中国 集積回路の破片

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  集積回路の破片IMW120R060M1H 1200Vの分離した半導体のトランジスター

  部分番号:IMW120R060M1H

  VDSS:1200V

  Tsold:260 °C

  接触
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  炭化ケイ素IMW120R090M1HのN-Channel 1200VのMOSFETsのトランジスターTO-247-3

  部分番号:IMW120R090M1H

  製品カテゴリー:MOSFET

  パッケージ/ケース:TO-247-3

  接触
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  TO-263-8パッケージIMBG120R030M1H 56AのN-Channelの単一のMOSFETsのトランジスター

  部分番号:IMBG120R030M1H

  入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:2290 pF @ 800ボルト

  FETの特徴:スタンダード

  接触
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  穴TO-247-4 IMZA65R030M1Hの分離した半導体のMOSFETsのトランジスターを通して

  部分番号:IMZA65R030M1H

  Turn-on遅れ時間:22 ns

  上昇時間:16ns

  接触
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  集積回路の破片IMW65R083M1H SiC MOSFETのN-Channel 650Vのトランジスター

  部分番号:IMW65R083M1H

  チャンネル数:1

  最低動作温度:- 55 C

  接触
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  集積回路チップ AIMW120R035M1HXKSA1 自動車単一トランジスタ TO-247-3

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触
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  統合回路チップ AIMW120R060M1HXKSA1 自動車用 1200V Nチャネル単一トランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

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  集積回路チップ AIMW120R080M1XKSA1 自動車用 33A Nチャネルシングルトランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触
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  統合回路チップ NVBG045N065SC1 Nチャンネル 650 V 62A 242W トランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

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  統合回路チップ DG75X12T2 1200V 75A IGBT パワー ディスクリーートトランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触
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  統合回路チップ DG50X07T2 650V 50A IGBT パワー ディスクリーートトランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触
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  統合回路チップ IMBG65R007M2H Nチャネル 650V 238A トランジスタ TO-263-8

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

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