部品番号:MSC017SMA120B
タイプの取付け:穴を通して
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds:5280 pF @ 1000ボルト
部品番号:MSC040SMA120J
（最高） @ ID、VgsのRds:50mOhm @ 40A、20V
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds:1990年のpF @ 1000ボルト
部品番号:MSC750SMA170S
チャネルの数:1つのチャネル
Rdsのオン下水管源の抵抗:750ミリオーム
部品番号:MSC080SMA120B
下水管源の絶縁破壊電圧:1.2 kV
構成:単一
部品番号:MSC750SMA170B4
技術:SiCFET （炭化ケイ素）
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）:20V
部品番号:MSC080SMA120S
Rds:100つのmOhms
最低の実用温度:- 55℃
部品番号:MSC090SMA070B
トランジスター極性:N-Channel
Qg -ゲート充満:38 NC
部品番号:MSC035SMA070S
製品カテゴリ:MOSFET
Qg -ゲート充満:5 A
部品番号:MSC035SMA070B4
入れられたキャパシタンス:2010pF （タイプ）
出力キャパシタンス:247pF （タイプ）
部品番号:MSC035SMA070B
実用温度（最高）:175°C （TJ）
ID -連続的な下水管の流れ:77 A
部品番号:MSC080SMA120J
FETのタイプ:N-Channel
技術:SiCFET （炭化ケイ素）
部品番号:MSC015SMA070S
トランジスター極性:N-Channel
チャネルの数:1つのチャネル
