中国 集積回路の破片

• 

  20A FFSB2065B-F085の炭化ケイ素のショットキー ダイオードTO-263-3の自動車破片

  部品番号:FFSB2065B-F085

  キャパシタンス@ Vr、F:866pF @ 1V、100kHz

  実用温度-接続点（分）:-55°C

  接触
• 

  統合回路チップ IKQ120N60T TO-247 パッケージの反平行ダイオード付き IGBT トランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触
• 

  統合回路チップ IHW20N120R5 1200V 20A IGBT トランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触
• 

  統合回路チップ IKZA75N65SS5 650V 75A シリコンカービッド・ショットキーダイオード付き IGBT ディスクレート

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触
• 

  統合回路チップ IKB40N65ES5ATMA1 高速IGBTトランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触
• 

  統合回路チップ IGB50N65S5ATMA1 650V 50A 反平行ダイオード付き IGBTトランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触
• 

  集積回路チップ IKD15N60RC2ATMA1 2ダイオード逆導体駆動付き IGBT ディスクリーートトランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触
• 

  統合回路チップ IHW30N65R5XKSA1 RC-H5 モノリシック統合逆伝導ダイオードを持つIGBTトランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触
• 

  統合回路チップ IHW30N65R6XKSA1 650V 30A IGBT トランジスタ モノリシック統合ダイオード

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触
• 

  集積回路チップ IHW50N65R6XKSA1 モノリシック統合ダイオード付き 650V 30A IGBTトランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触
• 

  集積回路チップ IKW75N65RH5XKSA1 650V 75A IGBT ディスクリーートトランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触
• 

  統合回路チップ IKW25N120CS7XKSA1 1200V 25A IGBT7 S7 トランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触