部品番号:IPP60R065S7XKSA1
FETのタイプ:N-Channel
プロダクト状態:活動的
部品番号:IPDQ60R040S7XTMA1
技術:Si
チャネル:1
部品番号:IPDQ60R022S7XTMA1
Vgs （（最高） Th） @ ID:4.5V @ 1.44mA
実用温度:-55°C | 150°C （TJ）
部品番号:NTH4L020N090SC1
技術:SiCFET （炭化ケイ素）
FETのタイプ:N-Channel
部品番号:NVBLS001N06C
ID -連続的な下水管の流れ:422 A
最高使用可能温度:+ 175 C
部品番号:NTHL080N120SC1A
Rds:110mOhm
Vgs:4.3V
部品番号:NVH4L022N120M3S
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C:68A （Tc）
ドライブ電圧:18V
部品番号:NTBLS1D1N08H
（最高） @ ID、VgsのRds:1.05mOhm @ 50A、10V
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds:11200 pF @ 40ボルト
部品番号:NTBG080N120SC1
Drain−to−Sourceの電圧:1200ボルト
Gate−to−Sourceの電圧:−15/+25 V
部品番号:NTTFD4D0N04HLTWG
技術:MOSFET （金属酸化物）
構成:2 N-Channel （二重）
部品番号:NTHL040N120SC1
FETのタイプ:N-Channel
技術:SiCFET （炭化ケイ素）
部品番号:NVMTS0D7N04CTXG
製品カテゴリ:MOSFET
（最高） @ ID、VgsのRds:0.67mOhm @ 50A、10V
