中国 集積回路の破片

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  統合回路チップ ISO6720QDWVRQ1 一般用途デジタルアイソレーター SOIC8

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

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  統合回路チップ ISO7740FQDWRQ1 SOIC16 10.7ns 強化デジタルアイソレーター

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

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  統合回路チップ ISOW7743FDFMR SOIC20 5ns 四チャネルデジタルアイソレーター

  最小注文数量:10

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  パッケージの詳細:標準パッケージ

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  統合回路チップ ADUM120N0WBRZ 3000 Vrms 双チャネルデジタルアイソレーター

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

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  統合回路チップ ADUM163N1BRZ 1.7V 150Mbps デジタルアイソレーター 16-SOIC

  最小注文数量:10

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  パッケージの詳細:標準パッケージ

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  集積回路の破片IMZA65R083M1HのトランジスターFETsのMOSFETs TO-247-4

  部分番号:IMZA65R083M1H

  ダイオードの脈拍の流れ:143 A

  現在の先の連続的なダイオード:53 A

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  N-Channel IMBG65R260M1Hの炭化ケイ素の単一のFETsのMOSFETsのトランジスターTO-263-8

  部分番号:IMBG65R260M1H

  チャネル モード:強化

  製品カテゴリー:MOSFET

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  統合回路チップ ISO7330CQDWQ1 3000Vrms 3チャネル 25Mbps デジタルアイソレーター

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

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  集積回路の破片NTMYS5D3N04CTWGのN-ChannelのMOSFETsのトランジスター4-LFPAK

  部分番号:NTMYS5D3N04CTWG

  前方相互コンダクタンス-分:53 S

  トランジスタタイプ:1 N チャネル

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  表面の台紙NTMFS6H818NLT1GのN-Channel 80Vの分離した半導体のトランジスター

  部分番号:NTMFS6H818NLT1G

  Pd - エネルギー分散:140 W

  下水管源の抵抗:3.2のmOhms

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  集積回路の破片MT29F4G08ABAFAWP-IT:Fは否定論履積のフラッシュ・メモリの破片を多重型にした

  部分番号:MT29F4G08ABAFAWP-IT:F

  組織:512 M × 8

  メモリサイズ:4 Gbit

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  穴を通した集積回路の破片IXBH20N360HV単一IGBTのトランジスター

  部分番号:IXBH20N360HV

  電圧-コレクターのエミッターの故障:3600ボルト

  現在-コレクター:70 A

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