部品番号:FGHL75T65MQDTL4
Collector−Emitterの電圧:1200V
Gate−Emitterの電圧:±20V
部品番号:FGH4L40T120LQD
電圧-コレクターのエミッターの故障:1200V
Collector-Emitterの飽和電圧:1.55 V
部品番号:NTBG040N120SC1
ドライブ電圧:20V
Vgs （最高）:+25V、-15V
部品番号:IAUTN06S5N008G
パッケージ:PG-HSOG-8-1
ターミナル:8
部品番号:XC7S75-1FGGA484C
実験室:6000
論理素子/細胞:76800
部品番号:FS7M0880YDTU
出力分離:隔離される
内部スイッチ:肯定
部品番号:MSC015SMA070
FETのタイプ:N-Channel
技術:SiCFET （炭化ケイ素）
部品番号:MSC080SMA120
実用温度:-55°C | 175°C （TJ）
電力損失:200W （Tc）
部品番号:MSC050SDA120B
前方電圧（= 50 A、TJ =最高25 °C） -:1.8V
前方電圧- （（最高） Vf） @:1.8 V @ 50 A
部品番号:MSC180SMA120
ゲート充満:34 NC @ 20ボルト
Rds:225mOhm @ 8A、20V
部品番号:MSC400SMA330
連続的な下水管の流れ:11 A
ゲート源の境界の電圧:2.97 V
部品番号:MSC060SMA070B4
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:1.9V
Qg -ゲート充満:56 NC
Japanese
