部品番号:AFGHL50T65SQDC
Collector−to−Emitterの電圧:650V
Gate−To−Emitterの電圧:±20V
部品番号:AFGB30T65RQDN
最高の接合部温度:175°C
パッケージ:TO−263
部品番号:AFGHL75T65SQD
現在の-コレクター（IC） -最高:80A
実用温度（分）:-55°C （TJ）
部品番号:AFGY100T65SPD
テスト条件:400V、100A、5Ohm、15V
Td （オン/オフ） @ 25°C:36ns/78ns
部品番号:AFGY120T65SPD
現在-コレクター（（最高） IC）:160 A
Vce （） （最高） @ Vge、IC:2.05V @ 15V、120A
部品番号:AFGY160T65SPD-B4
ゲート充満:245 NC
逆の回復時間（trr）:132 ns
部品番号:FGA40T65SHD
ゲート充満:72.2 NC
テスト条件:400V、40A、6Ohm、15V
部品番号:AFGHL75T65SQDT
低い飽和電圧:VCE （土曜日） = 1.6ボルト（タイプ。） @ IC = 75 A
力（最高）:375 W
部品番号:FGA40N65SMD
IGBTタイプ:視野絞り
現在-コレクター（（最高） IC）:80A
Part Number:FS32R294HBK0MJDT
中心:e200z7
記憶:5.5 MB SRAM
部品番号:SP5746CSK1AMKU6
プログラム記憶容量:3 MB
データRAMのサイズ:384 kb
部品番号:TPS61240TDRVRQ1
出力環境設定:陽性
機能:増大する
