中国 集積回路の破片

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  NGTB40N120FL2WG IGBT Transistor 1200V 80A 535W with Trench Field Stop Technology for Solar Inverters and UPS

  部品番号:NGTB40N120FL2WG

  コレクター・エミッター 電圧 VCEO マックス::1.2 kv

  Collector-Emitterの飽和電圧::2 v

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  IPD60R600P7 Integrated Circuit Chip N-Channel 600V CoolMOS™ P7 Power MOSFET Transistors

  部品番号:IPD60R600P7

  FETタイプ:nチャネル

  流出電圧から源電圧 (Vdss):600 V

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  LT8645SIV 統合回路チップ シンクロン ステップダウン サイレント スイッチ 2 バック 調節器

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

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  TPS63050RMWR Integrated Circuit Chip Buck-Boost Converter with 2.5 MHz Switching Frequency 1 A Output Current and 365 uA Quiescent Current

  部品番号:TPS63050RMWR

  トポロジー:ブースト、バック

  出力電流:1 a

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  IRLR3636TRPBF 60V 99A Power MOSFET Transistor HEXFET N-Channel with 6.8 mOhms RDS(ON) in DPAK-3 Package

  部品番号:IRLR3636TRPBF

  パッケージ /ケース:DPAK-3 (TO-252-3)

  Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:60V

  接触
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  ADG5206BRUZ 16-Channel CMOS Analog Multiplexer Integrated Circuit Chip in TSSOP28 Package

  部品番号:ADG5206BRUZ

  チャンネル数:16チャンネル

  構成:1 xの16:1

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  SOT-23-6パッケージの300μA電流供給と1-Wire®プロトコルを備えたDS2483R集積回路チップ

  部品番号:DS2483R

  プロトコル:1-Wire®

  現在 - 供給:300µA

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  TPS2372-4RGWT 集積回路チップ 高電力 PoE PD インターフェース、自動 MPS およびオートクラス付き

  部品番号:TPS2372-4RGWT

  標準：:802.3bt

  現在の限界::1.9 A

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  INA139NA/3K 440kHz 帯域幅電流センスアンプ、0.5%精度、2.7V～40V入力範囲

  部品番号:INA139NA/3K

  製品:現在のモニター

  供給電流の動作:125のuA

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  IKWH75N75EH7 集積回路チップ ハードスイッチング 750V 75A シングル IGBTトランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

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  IR3566BMTRPBF 集積回路チップ デジタルマルチフェーズコントローラ、スイッチング周波数200 kHz～2 MHz、動作温度-40℃～+85℃、入力電圧3.3V

  部品番号:IR3566BMTRPBF

  出力の数：:2出力

  スイッチング周波数::200のkHzから2つのMHz

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  PBSS4041PX 60V 5A 低VCEsat PNP BJTトランジスタ集積回路チップ SOT89パッケージ

  部品番号:PBSS4041PX

  トランジスター極性:PNP

  最大 DC コレクタ電流:5 A

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