中国 集積回路の破片

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  統合回路チップ UJ3C065080T3S 650V 31A Nチャネル SiC FET トランジスタ TO-220-3

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

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  IPW60R017C7 集積回路チップ 600V Nチャネル MOSFET トランジスタ TO-247-3

  部品番号:IPW60R017C7

  Vgs （最高）:±20V

  電力損失（最高）:446W (Tc)

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  集積回路チップ IPW65R150CFDA 穴を通る 650V パワー MOSFET トランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

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  統合回路チップ IPN70R600P7S 6.9W パワー MOSFET トランジスタ TO-261-4

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

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  統合回路チップ IPN60R600PFD7S Nチャンネル 6A MOSFET トランジスタ TO-261-4

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

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  統合回路チップ IPN60R600P7S 7W シングル MOSFET トランジスタ TO-261-4

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

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  統合回路チップ SPA16N50C3 560V Nチャネル電源MOSFETトランジスタ TO-220-3

  部分番号:SPA16N50C3

  流出電圧から源電圧 (Vdss):560V

  電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:16A （Tc）

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  統合回路チップ IPB038N12N3G 120V Nチャネル電源MOSFETトランジスタ

  部分番号:IPB038N12N3G

  FETタイプ:Nチャンネル

  テクノロジー:MOSFET （金属酸化物）

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  統合回路チップ RCX450N20 200V 45A Nチャネル電源MOSFETトランジスタ

  部分番号:RCX450N20

  FETタイプ:Nチャンネル

  テクノロジー:MOSFET （金属酸化物）

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  統合回路チップ NTMFS4C910NAT3G 30V シングル Nチャネル MOSFET トランジスタ

  部分番号:NTMFS4C910NAT3G

  FETタイプ:Nチャンネル

  テクノロジー:MOSFET （金属酸化物）

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  統合回路チップ C3M0016120D 1200V 115A SiC パワー MOSFET トランジスタ TO-247-3

  部分番号:C3M0016120D

  チャネル モード:強化

  構成:シングル

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  統合回路チップ BUK7Y2R0-40HX LFPAK56 表面マウント 40V 120A MOSFETトランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

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