部品番号:10M50DCF256I7G
eSRAM:8チャンネル
チャネル:40の銀行
部品番号:10M50DCF256I6G
総容量:47.25 Mbits
バス幅:72ビット
部品番号:10M50DCF256C8G
ピッチ:1.0 mm
電圧入力/出力:3V
部品番号:10M50DCF256A7G
論理的な要素:50000
構造および入力/出力段階ロックのループ（PLL）:4
部品番号:10M50DAF672I7G
論理要素数:50000 LE
I/O 数:500入力/出力
部品番号:10M50DAF256C7G
論理素子/細胞の数:50000
総RAMビット:1677312
部品番号:10M50DAF672C8G
電圧-供給:1.15V～1.25V
実用温度:0℃～85℃(TJ)
部品番号:10M50DAF672C7G
中心の生地の性能:1つのGHz
クロック レート:1.5 GHz
部品番号:10M50DAF484I7P
動作電源電圧:1.2V
中心の生地の性能:1つのGHz
部品番号:10M50DAF484I7G
ロジック アレイ ブロックの数 - LAB:3125実験室
動作電源電圧:1.2V
部品番号:10M50DAF484I6G
ロジックエレメント/セル数:50000
タイプの取付け:表面の台紙
部品番号:10M50DAF256I7G
動作電源電圧:1.2V
最大動作周波数:450MHz
