部品番号:MT40A1G16KH-062E AUT:E
製品カテゴリー:DRAM
最高供給電圧-:1.26 V
部品番号:MT40A1G16KNR-062E:E
シリーズ:MT40A
記憶タイプ:揮発
部品番号:MTA18ASF2G72HZ-2G6E1
移動率（Mb/s、MT/s、MHz）:2666
作動の供給Voltag:1.2V
部品番号:MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B
記憶タイプ:揮発
記憶フォーマット:ドラム
部品番号:MT41K64M16TW-107 AUT:J
アクセス時間:20 ns
電圧 - 供給:1.283V | 1.45V
部品番号:MT40A4G8NEA-062E:F
製品カテゴリ:ドラム
アクセス時間:13.75 ns
部品番号:MT53E512M32D1NP-046重量:B
パッケージ/場合:200-WFBGA
サイズ:10mm x 14.5mm
部品番号:MT62F1G64D8CH-031重量:B
記憶容量:64Gbit
記憶構成:1G X 64
部品番号:MT40A2G8SA-062E IT:F
サイズ:7.5mm x 11mm
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
部品番号:MT40A1G16TB-062E IT:F
技術:SDRAM - DDR4
擬似オープン下水管入力/出力:1.2V
部品番号:MT40A1G16KH-062E AIT:E
タイプ:SDRAM - DDR4
データ・バス幅:16ビット
部品番号:S80KS5122GABHA023
メモリインターフェース:HyperBus
時計の周波数:200 MHz
