部品番号:S70KS1282GABHA023
供給電圧（分）:1.7V
実用温度（分）:-40°C （TA）
部品番号:S80KS2562GABHA023
テクノロジー:25 nmドラム
（v）と産業実用温度範囲-:– 40 °Cへの+105 °C
部品番号:S70KS1282GABHV020
最高供給の流れ-:60 mA
アクセス時間:35 ns
部品番号:S70KL1283GABHV020
鉛の球の終わり:N/A
インターフェイス:xSPI （8）
部品番号:S27KS0642GABHB020
記憶 の 組織:8M × 8
インターフェイス帯域幅:400 MByte/s
部品番号:S27KS0643GABHA023
ピーク退潮の臨時雇用者:260 °C
メモリインターフェース:SPI -8入力/出力
部品番号:S70KL1282GABHB020
サイクルの時間 - 単語,ページ:35ns
インターフェイス サポート:1.8 V/3.0ボルト
部品番号:S27KL0642GABHI030
テクノロジー:PSRAM （擬似SRAM）
メモリタイプ:揮発性
部品番号:S80KS2563GABHM023
製品カテゴリー:DRAM
テクノロジー:PSRAM （擬似SRAM）
部分番号:CY7C1441KV33-133AXI
アクセス時間:6.5 ns
電圧 - 供給:3.135V | 3.6V
部品番号:S70KS1283GABHB020
バス信号:11
データ・バス:8ビット
部分番号:MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G
任意読書:25µs
ページ プログラム:300µs （タイプ）
