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STW58N60DM2AG 集積回路チップ 自動車用 Nチャネル 600V 50A パワー MOSFET トランジスタ

集積回路の破片
April 08, 2025
カテゴリー接続: 集積回路の破片
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タグ:
#集積回路の破片24-PQFN #TUSB1002ARGERのデュアル・チャネル線形 #統合された破片QFN24
Brief: Discover the STW58N60DM2AG Integrated Circuit Chip, an automotive-grade N-channel 600V 50A Power MOSFET transistor. Designed for high-efficiency converters, it features fast recovery, low RDS(on), and Zener protection, making it ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Related Product Features:
  • Automotive-grade N-channel Power MOSFET with 600V and 50A ratings.
  • Part of the MDmesh™ DM2 series with fast recovery diode technology.
  • 低RDS (オン) と高効率のゲートチャージ
  • Zener-protected and 100% avalanche tested for ruggedness.
  • Designed for demanding applications like bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
  • AEC-Q101 qualified for automotive reliability.
  • Extremely high dv/dt ruggedness for robust operation.
  • Available in TO-247-3 package for easy through-hole mounting.
よくある質問:
  • Is the STW58N60DM2AG suitable for automotive applications?
    Yes, it is designed for automotive use and is AEC-Q101 qualified.
  • What are the key features of the STW58N60DM2AG?
    Key features include fast recovery body diode, low gate charge, low on-resistance, and Zener protection.
  • What is the operating temperature range of the STW58N60DM2AG?
    It operates within a temperature range of -55°C to +150°C.
  • Can I order samples of the STW58N60DM2AG?
    Yes, samples are available, and the cost depends on your order or project requirements.
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