部品番号:NTBG080N120SC1
Drain−to−Sourceの電圧:1200ボルト
Gate−to−Sourceの電圧:−15/+25 V
部品番号:NTTFD4D0N04HLTWG
技術:MOSFET （金属酸化物）
構成:2 N-Channel （二重）
部品番号:NTHL040N120SC1
FETのタイプ:N-Channel
技術:SiCFET （炭化ケイ素）
部品番号:NVMTS0D7N04CTXG
製品カテゴリ:MOSFET
（最高） @ ID、VgsのRds:0.67mOhm @ 50A、10V
部品番号:NVHL060N090SC1
ゼロ ゲートの電圧下水管の流れ:100つのuA
Gate−to−Sourceの漏出流れ:±1 uA
部品番号:NTP055N65S3H
典型的なTurn-On遅れ時間:30 ns
シリーズ:SuperFET® III
部品番号:NTMFS0D9N03CGT1G
脈打った下水管の流れ:900A
定常Junction−to−Case –:1.0 °C/W
部品番号:FDBL9403-F085T6
ソース電流:330 A
入れられたキャパシタンス:6985 pF
部品番号:NTMFS5C628NT1G
Turn−offの遅れ時間:25 ns
前方ダイオードの電圧:1.2V
部品番号:NVH4L040N65S3F
技術:MOSFET （金属酸化物）
（最高） @ ID、VgsのRds:40mOhm @ 32.5A、10V
部品番号:NVMFS5C670NWFT1G
ドライブ電圧:10V
Rds:7mOhm
部品番号:NTP125N65S3H
技術:MOSFET （金属酸化物）
（最高） @ ID、VgsのRds:40mOhm @ 32.5A、10V
