中国 集積回路の破片

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  RV1S2451ACCSP-10YV 集積回路チップ 高電圧7500Vrms 光学結合トランジスタ

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  RV1S2951ACCNS-1F0C 集積回路チップ 高電圧 2500Vrms 光学結合トランジスタ

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  RV1S2951ACCNS-1F0V 集積回路チップ 低前電流光学結合トランジスタ

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  UJ4N075004L8S 統合回路チップ SiC JFET トランジスタ 750V シリコンカービッド JFET

  最小注文数量:10

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  UJ4N075005K4S 統合回路チップ シリコンカービッド JFET トランジスタ TO-247-4 SiC JFETs

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  NSV1C300CTWG 統合回路チップ 双極電源トランジスタ 100V PNPトランジスタ

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  STGWA30M65DF2AG 統合回路チップ IGBT トレンチフィールドストップ 650V IGBT トランジスタ

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  10M50DDF484I7Gプログラム可能な論理ICのシステム内プログラム可能なゲート・アレー484-BGAパッケージ

  部品番号:10M50DDF484I7G

  LAB/CLBの数:3125

  RAM ビットの総数:1677312

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  一般目的XC7A200T-L1FFG1156Iの高性能のシステム内プログラム可能なゲート・アレーIC

  部品番号:XC7A200T-L1FFG1156I

  電圧 - 供給:0.95V~1.05V

  マウントタイプ:表面マウント

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  システム内プログラム可能なゲート・アレーXC7A35T-1CSG324I 324-LFBGAプログラム可能な論理IC

  部品番号:XC7A35T-1CSG324I

  平均蛇口の遅れ:200 MHz = 78 ps

  キー・メモリのバッテリー・バックアップの供給（最高）:2.0V

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  集積回路チップ IHW25N120E1 IGBT NPT とトランジスタ 1200V 50A

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  統合回路チップ IPF012N06NF2S ストロングIRFETTM 2 シングルパワートランジスタ

  最小注文数量:10

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