中国 集積回路の破片

• 

  統合回路チップ IPW65R080CFDA MOSFET 50V 43.3A Nチャネルトランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触
• 

  集積回路の破片QH8MA4TCR Mosfetの配列30V 9Aのトランジスター8-SMD表面の台紙

  部分番号:QH8MA4TCR

  テクノロジー:MOSFET （金属酸化物）

  構成:NおよびP-Channel

  接触
• 

  統合回路チップ STGWA40HP65FB2 トレンチゲートフィールドストップ 650V 40A 高速IGBTトランジスタ

  部分番号:STGWA40HP65FB2

  最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:650ボルト

  Collector-Emitterの飽和電圧:1.55 V

  接触
• 

  統合回路チップ MSC360SMA120SA トランジスタ 1200V シングルFET MOSFET ディスクリーート

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触
• 

  統合回路チップ GS66502B-MR MOSFET 650V 7.5A GaN Eモードトランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触
• 

  統合回路チップ IGQ100N120S7 1200V 100A シングル IGBT7 S7 トランジスタ TO247

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触
• 

  統合回路チップ IKZA50N120CH7 TO247 4Pin パッケージ内の単一 IGBT トランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触
• 

  統合回路チップ IKQ150N65EH7 高速650V150A シングルIGBTトランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触
• 

  集積回路チップ IXYH82N120C3 単一のIGBTトランジスタ 1200V 200A 穴を通る

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触
• 

  統合回路チップ IKWH75N65EH7 低飽和電圧 650V IGBT トランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触
• 

  統合回路チップ RGS80TS65DHRC11 650V 73A IGBT トレンチフィールドストップトランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触
• 

  統合回路チップ STGWA25IH135DF2 トレンチフィールドストップ 1.35kV 50A IGBT トランジスタ

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

  接触