部品番号:IMBG65R039M1HXTMA1
RDS (オン) (@ Tj = 25°C):39 mΩ
VDS 最大:650ボルト
部品番号:BSZ100N06LS3GATMA1
QG （タイプ@10V）:34 NC
流出させなさいに源の電圧（Vdss）:60ボルト
部品番号:BSC004NE2LS5ATMA1
パッケージ:SuperSO8 5x6
QG （タイプ@4.5V）:135 NC
部品番号:BSC100N06LS3GATMA1
QG （タイプ@10V）:2600 pF
流出させなさいに源の電圧（Vdss）:200 A
部品番号:IPD35N10S3L26ATMA1
技術:OptiMOS™-T
RthJC （最高）:2.1 K/W
部品番号:BSZ100N03MSGATMA1
チャネル モード:強化
シリーズ:OptiMOS 3M
部品番号:IMW65R048M1HXKSA1
FETのタイプ:N-Channel
プロダクト状態:活動的
部品番号:IPB65R115CFD7AATMA1
ドライブ電圧:10V
源の電圧に流出させなさい:650ボルト
部品番号:IMW65R072M1HXKSA1
電力損失（最高）:96W （Tc）
実用温度:-55°C | 150°C （TJ）
部品番号:IPT019N08N5ATMA1
Rdsのオン下水管源の抵抗:1.9のmOhms
落下時間:17 ns
部品番号:IPW65R075CFD7AXKSA1
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs:68 NC @ 10ボルト
電力損失（最高）:171W （Tc）
部品番号:AUIRF5210STRL
実用温度:-55°C | 150°C （TJ）
高さ:2.3 mm
