部品番号:SCTH90N65G2V-7
FETのタイプ:N-Channel
ID -連続的な下水管の流れ:90 A
部品番号:SCT4026DW7HRTL
トランジスター極性:N-Channel
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:750ボルト
部品番号:NVBG020N090SC1
典型的なTurn-On遅れ時間:39 ns
トランジスター タイプ:1 N チャネル
部品番号:TW070J120B、S1Q
高圧:VDSS = 1200ボルト
ゲート源の電圧:+25V/-10V
部品番号:TW015N120C、S1F
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）:18V
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs:158 NC @ 18ボルト
部品番号:TW107N65C、S1F
Qg -ゲート充満:28 NC
Vgs -ゲート源の電圧:-10V、+25V
部品番号:TW027N65C、S1F
製品カテゴリ:MOSFET
チャネルの数:1つのチャネル
部品番号:SCTW100N65G2AG
FETのタイプ:N-Channel
テクノロジー:SiCFET （炭化ケイ素）
部品番号:SCTL90N65G2V
テクノロジー:シック
トランジスター極性:N-Channel
部品番号:SCT30N120H
テクノロジー:SiCFET （炭化ケイ素）
ドライブ電圧:20V
部品番号:SCTWA50N120
Rdsのオン下水管源の抵抗:52のmOhms
Vgs -ゲート源の電圧:-10V、+25V
部品番号:TW060N120C、S1F
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs:46 NC @ 18ボルト
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds:1530 pF @ 800ボルト
Japanese
