中国 集積回路の破片

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  IPB100N04S4-H2 統合回路チップ 40V OptiMOS-T2 自動車用 MOSFET トランジスタ

  部品番号:IPB100N04S4-H2

  トランジスター極性:Nチャンネル

  Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:40V

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  IPDD60R050G7 統合回路チップ 600V Nチャネル電源 MOSFET トランジスタ HDSOP-10

  部品番号:IPDD60R050G7

  トランジスター極性:Nチャンネル

  Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:600V

  接触
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  IPB042N10N3G 統合回路チップ 100V オプティモスTM パワー MOSFET トランジスタ TO-263-3

  部品番号:IPB042N10N3G

  シリーズ:OptiMOS™

  FETタイプ:Nチャンネル

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  IPP051N15N5 統合回路チップ 150V Nチャネル電源 MOSFET トランジスタ TO-220-3

  部品番号:IPP051N15N5

  高さ:15.65mm

  長さ:10mm

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  SPA11N80C3 集積回路チップ クールMOS Nチャネル電源 MOSFET トランジスタ TO-220FP-3 パッケージ

  部分番号:SPA11N80C3

  Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧::800V

  Id - 連続ドレイン電流::11 A

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  IAUT165N08S5N029 統合回路チップ 80V 2.9 mΩ オプティモスTM-5 自動車用モスフェットトランジスタ

  部分番号:IAUT165N08S5N029

  トランジスタ極性::Nチャンネル

  チャネルの数::1 チャンネル

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  IRFH5215TRPBF 統合回路チップ 150V ストロングIRFETTM パワー MOSFET トランジスタ

  部品番号:IRFH5215TRPBF

  トランジスター極性:Nチャンネル

  Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:150V

  接触
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  IPB60R045P7 統合回路チップ 600V Nチャネル電源MOSFETトランジスタ

  部分番号:IPB60R045P7

  動作温度:-55 °Cから150 °C

  パッケージ:PG-TO263-3

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  IPA60R099P7 統合回路チップ Nチャネル電源MOSFETトランジスタ PG-TO220-3

  部分番号:IPA60R099P7

  動作温度:-55 °Cから150 °C

  パッケージ:PG-TO220-3

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  SPD06N80C3 集積回路チップ 800V クールモス パワー MOSFET トランジスタ TO-252-3

  部分番号:SPD06N80C3

  Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧::800V

  Id - 連続ドレイン電流::6A

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  STW35N60DM2 集積回路チップ 600V 28A Nチャネル電源MOSFETトランジスタ

  部分番号:STW35N60DM2

  トランジスター極性:Nチャンネル

  Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:600V

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  統合回路チップ IPT60R035CFD7 109nC 351W パワー MOSFET トランジスタ HSOF8

  最小注文数量:10

  価格:Contact for Sample

  パッケージの詳細:標準パッケージ

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