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部品番号:IKW50N65WR5
単位重量:6.047g
ゲート エミッターの漏出流れ:100 nA
部品番号:IXTP160N10T
FETタイプ:Nチャンネル
テクノロジー:MOSFET (金属酸化物)
部品番号:BSC026N08NS5
テクノロジー:Si
トランジスター極性:Nチャンネル
部品番号:IPB100N04S4-H2
トランジスター極性:Nチャンネル
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:40V
部品番号:IPDD60R050G7
トランジスター極性:Nチャンネル
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:600V
部品番号:IPB042N10N3G
シリーズ:OptiMOS™
FETタイプ:Nチャンネル
部品番号:IPP051N15N5
高さ:15.65mm
長さ:10mm