部品番号:IMW120R014M1H
Vgs -ゲート源の電圧:- 10ボルト、+ 23ボルト
Qg -ゲート充満:110 NC
部品番号:IMYH200R075M1H
様式の取付け:穴を通して
パッケージ/場合:PG-TO247-4
部品番号:IMBG65R083M1H
技術:SiCFET （炭化ケイ素）
ドライブ電圧:18v
部品番号:IMZA65R027M1H
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds:2131 pF @ 400ボルト
シリーズ:CoolSiC™
部品番号:IMBG65R030M1H
チャネル:1
Vds:650ボルト
部品番号:IMBG65R107M1H
電圧の運転:0V-18V
より低い転換の損失:4回
部品番号:IMZ120R140M1H
（最高） @ ID、VgsのRds:182mOhm @ 6A、18V
電力損失（最高）:94W （Tc）
部品番号:IMBG120R090M1H
Qg -ゲート充満:23 NC
Rdsのオン下水管源の抵抗:125のmOhms
部品番号:215-130000026
試運転ポート:JTAG
動作温度(最低):-40℃
部品番号:CY8C6144AZI-S4F92
データバス幅:32ビット
最大クロック周波数:150のMHz
部品番号:ICE3BR0665JZ
電圧-故障:650V
内部的に固定転換の頻度:65kHz
部品番号:TRF37B32IRTVR
NF -雑音指数:9.2 dB
LO周波数:2900のMHz
Japanese
