部品番号:MSC090SMA070
源の電圧を流出させなさい:700ボルト
線形軽減の要因:0.60 With°C
部品番号:MSC017SMA120
連続的な下水管の流れ:113A
脈打った下水管の流れ:280A
部品番号:MSC2X51SDA170J
最低の実用温度:- 55°C
構成:二重
部品番号:MSC360SMA120
トランジスタ極性::N-Channel
下水管源の絶縁破壊電圧:1.2kV
部品番号:MSC035SMA170B4
構成:単一
落下時間:17 ns
部品番号:IMW120R014M1H
Vgs -ゲート源の電圧:- 10ボルト、+ 23ボルト
Qg -ゲート充満:110 NC
部品番号:IMYH200R075M1H
様式の取付け:穴を通して
パッケージ/場合:PG-TO247-4
部品番号:IMBG65R083M1H
技術:SiCFET （炭化ケイ素）
ドライブ電圧:18v
部品番号:IMZA65R027M1H
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds:2131 pF @ 400ボルト
シリーズ:CoolSiC™
部品番号:IMBG65R030M1H
チャネル:1
Vds:650ボルト
部品番号:IMBG65R107M1H
電圧の運転:0V-18V
より低い転換の損失:4回
部品番号:IMZ120R140M1H
（最高） @ ID、VgsのRds:182mOhm @ 6A、18V
電力損失（最高）:94W （Tc）
Japanese
