部品番号:NXH35C120L2C2S1G
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce:6.2 nF @ 20ボルト
入力:三相橋整流器
部品番号:NXH35C120L2C2S1G
プロダクト:IGBTのケイ素 モジュール
構成:3-Phaseインバーター
部品番号:FAM65V05DF1
構成:3段階
電圧:650ボルト
部品番号:NXV65HR82DZ1
タイプ:MOSFET
構成:H橋
部品番号:FAM65CR51DZ2
実用温度:-40°C | 175°C （TJ）
bcategory SNTCのサーミスター:はい
部品番号:NXH300B100H4Q2F2PG
実用温度:-40°C | 175°C （TJ）
bcategory SNTCのサーミスター:はい
部品番号:NXH25T120L2Q1PTG
最大動作温度:+150C
サブカテゴリー:IGBTs
部品番号:NXH50M65L4C2SG
最高使用可能温度:+ 150 C
下位範疇:IGBTs
部品番号:NXH40T120L3Q1PG
構成:3-Phaseインバーター
Collector-Emitterの飽和電圧:1.85 V
部品番号:NXH40T120L3Q1SG
インプット:三相橋整流器
電流 - コレクターの切断値 (最大):400 µA
部品番号:NXH450B100H4Q2F2SG
ゲート エミッターの漏出流れ:800 nA
Pd - エネルギー分散:234 W
部品番号:NXH80T120L3Q0S3G
電流 - コレクターの切断値 (最大):300μA
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:2.4V @ 15V、80A
