部品番号:MSCSM120DHM31CTBL2NG
最低の実用温度:- 55 C
最高使用可能温度:+ 175 C
部品番号:MSCSM120HM31CTBL2NG
（最高） @ ID、VgsのRds:31mOhm @ 40A、20V
Vgs （（最高） Th） @ ID:2.8V @ 1mA
部品番号:MSCSM120SKM31CTBL1NG
プロダクト状態:活動的
FETのタイプ:N-Channel
部品番号:NXH450B100H4Q2F2PG
Vce （） （最高） @ Vge、IC:2.25V @ 15V、150A
現在-コレクターの締切り（最高）:600 µA
部品番号:NXH400N100H4Q2F2SG
IGBTのタイプ:堀の視野絞り
構成:3 レベル インバーター
部品番号:NXH50M65L4Q1SG
IGBTのタイプ:堀の視野絞り
構成:完全な橋
部品番号:NFAP0560L3TT
供給電圧:450V
コレクターの−のエミッターの電圧:600V
部品番号:NXH50C120L2C2ESG
製造者装置パッケージ:26-DIP
NTCのサーミスター:はい
部品番号:NXH35C120L2C2SG
ピーク反復的な逆電圧:1200V
連続的な前方流れ@ Tc = 80°C （TVJmax = 175°C）:35A
部品番号:NXH35C120L2C2ESG
ゲート エミッターの漏出流れ:400 nA
実用温度:-40°C | 150°C （TJ）
部品番号:NXH350N100H4Q2F2P1G
Collector-emitter電圧:1000V
最高の電力損失（TJ = 150°C）:592W
部品番号:NXH50C120L2C2ES1G
25°Cの連続的なコレクター流れ:50 A
Collector-Emitterの飽和電圧:1.8 V
