部分番号:MT25QL01GBBB8ESF-0SIT
積み重ねられた装置:2 512Mbは死ぬ
電圧:2.7-3.6V
部分番号:MT25QL256ABA8ESF-0AAT
頻度:133 MHz
タイミング:シンクロン
部分番号:MT62F2G64D8CZ-023 AUT:C
メモリ形式:DRAM
パッケージ/ケース:TFBGA
部分番号:MT25TL01GBBB8ESF-0AAT
積み重ねられた装置:2 512Mbは死ぬ
力:133 MHz
部分番号:MT28EW512ABA1HPC-0SIT
タイムタイプ:アシンクロン
製品タイプ:NORフラッシュ
部分番号:S70GL02GT12FHIV10
最初のアクセス時間:25 ns
密度:2048年のMBit
部分番号:MT28EW128ABA1LJS-0SIT
アクセス時間:95 ns
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
部分番号:MT28EW01GABA1HJS-0SIT
メモリサイズ:1 Gbit
供給電圧 - Min:2.7 V
部分番号:S26HS512TGABHM010
SPIは速く読んだ:166 MHz
セクターの消去:331KBps
部分番号:CY15B108QI-20LPXC
メモリサイズ:8 Mbit
インターフェースタイプ:SPI
最小注文数量:10
パッケージの詳細:標準パッケージ
受渡し時間:3~5 営業日
最小注文数量:10
価格:Contact for Sample
パッケージの詳細:標準パッケージ
Japanese
