部品番号:S26HS512TGABHI000
ルート制御跡（SCKおよびCS#）:≤ 4 nH
記憶インターフェイス:SPI インターフェイス
部品番号:S28HS512TGABHV013
記憶タイプ:不揮発性
ページのプログラミングの緩衝:256か512バイト
部品番号:MT25QU02GCBB8E12-0AUT
密度:2GB
操作。臨時雇用者。:-40°Cへの+125°C
部品番号:S26HS512TGABHM003
サイクルの時間 - 単語,ページ:1.7ms
アクセス時間:5.45 ns
部品番号:MT28EW01GABA1HJS-0AAT
記憶構成:128M x 8、64M x 16
記憶容量:1Gbit
部品番号:S26KS512SDPBHN020
供給電圧-分:1.7 V
アクセス時間:96 ns
部品番号:S26HL512TFPBHB000
テクノロジー:フラッシュ- （SLC）
SDRの選択操業:21-MBpsまで
部品番号:S26HL01GTFPBHM020
メモリインターフェース:HyperBus
メモリサイズ:1Gbit
部品番号:S26KS512SDPBHV020
頭文字のランダム・アクセス読まれた潜伏:5つから16の時計サイクル
タイミングのタイプ:シンクロン
部品番号:S26HS512TGABHV000
時計の周波数:200 MHz
テクノロジー:フラッシュ- （SLC）
部品番号:S26HS01GTFPBHV023
パッケージ:24ボールBGA
サイズ:8つx 8つのmm
部品番号:S28HS512TGABHB013
供給電圧-分:1.7 V
最高供給電圧-:2ボルト
